[发明专利]抗反射基板结构及其制作方法

权利要求书

1.一种抗反射基板结构的制作方法，包括：

提供一硅晶片，该硅晶片具有一第一粗糙表面；

形成一抗反射光学膜于该硅晶片上，该抗反射光学膜共形地覆盖该第一粗糙表面；

对该抗反射光学膜进行一表面处理，以使该抗反射光学膜具有一亲水性表面，其中该亲水性表面相对远离该硅晶片；

于该抗反射光学膜的该亲水性表面上滴上一胶体溶液，其中该胶体溶液包括一溶液以及多个纳米球，该些纳米球附着于该亲水性表面上；以及

以该些纳米球为蚀刻掩模，对该抗反射光学膜的该亲水性表面进行一蚀刻制作工艺，而形成一第二粗糙表面，其中该第二粗糙表面的粗糙度不同于该第一粗糙表面的粗糙度。

2.如权利要求1所述的抗反射基板结构的制作方法，其中提供该硅晶片的步骤，包括：

提供一单晶硅硅晶片基材；以及

对该单晶硅硅晶片基材的一表面进行一蚀刻制作工艺，而形成具有该第一粗糙表面的该硅晶片。

3.如权利要求1所述的抗反射基板结构的制作方法，其中该硅晶片为一多晶硅硅晶片。

4.如权利要求1所述的抗反射基板结构的制作方法，其中形成该抗反射光学膜的方法包括等离子体辅助化学气相沉积法、物理蒸镀法或物理溅镀法。

5.如权利要求1所述的抗反射基板结构的制作方法，其中该抗反射光学膜的材质包括氮化硅、氧化铝、硫化锌、氟化镁或二氧化钛。

6.如权利要求1所述的抗反射基板结构的制作方法，其中该表面处理包括以一氧等离子体进行。

7.如权利要求6所述的抗反射基板结构的制作方法，其中该氧等离子体的氧气流量介于1sccm至100sccm之间，处理时间介于20秒至2000秒之间，而能量介于20mW/cm²至500mW/cm²。

8.如权利要求1所述的抗反射基板结构的制作方法，其中该溶液包括甲醇与水。

9.如权利要求1所述的抗反射基板结构的制作方法，其中各该纳米球的材质包括聚苯乙烯。

10.如权利要求1所述的抗反射基板结构的制作方法，其中各该纳米球的粒径介于100纳米至1000纳米之间。

11.如权利要求1所述的抗反射基板结构的制作方法，其中该蚀刻制作工艺为一反应式离子蚀刻制作工艺。

12.如权利要求1所述的抗反射基板结构的制作方法，其中该抗反射光学膜的厚度介于100纳米至1000纳米之间。

13.如权利要求1所述的抗反射基板结构的制作方法，其中该第一粗糙表面的粗糙度介于100纳米至10000纳米之间。

14.如权利要求1所述的抗反射基板结构的制作方法，其中该第二粗糙表面的粗糙度介于10纳米至100纳米之间。

15.一种抗反射基板结构，包括：

硅晶片，具有一第一粗糙表面；以及

抗反射光学膜，配置于该硅晶片上，且覆盖该第一粗糙表面，其中该抗反射光学膜具有一第二粗糙表面，且该第二粗糙表面的粗糙度不同于该第一粗糙表面的粗糙度，且该第二粗糙表面具有亲水性。

16.如权利要求15所述的抗反射基板结构，其中该硅晶片包括一多晶硅硅晶片或一已蚀刻的单晶硅硅晶片。

17.如权利要求15所述的抗反射基板结构，其中该抗反射光学膜的材质包括氮化硅、氧化铝、硫化锌、氟化镁或二氧化钛。

18.如权利要求15所述的抗反射基板结构，其中该第一粗糙表面的粗糙度介于100纳米至10000纳米之间。

19.如权利要求15所述的抗反射基板结构，其中该第二粗糙表面的粗糙度介于10纳米至100纳米之间。