[发明专利]功率放大器有效
申请号: | 201310049887.9 | 申请日: | 2013-02-07 |
公开(公告)号: | CN103825563B | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 元俊九;金胤锡;宋泳镇;金基仲;韩明愚;饭塚伸一;朴珠荣 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20;H03F1/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 金光军;刘奕晴 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率放大器 | ||
1.一种功率放大器,包括:
放大单元;
偏置电路单元,生成所述放大单元的偏置电压;
电压降单元,被布置在所述偏置电路单元和所述放大单元之间以使所述偏置电压降至基极电压;和
旁路电路单元,包括并联连接到所述电压降单元的阻抗元件,并且根据输入信号的大小执行开关操作,
其中,所述旁路电路单元包括:
电容器,具有与由所述偏置电路单元供给偏置电压的供给节点连接的一端、以及另一端;和
半导体开关器件,具有与所述电容器的另一端连接的一端、以及通过信号耦合电容器与所述放大单元的输入节点连接的另一端,并且所述半导体开关器件根据所述输入信号的大小执行开关操作。
2.根据权利要求1所述的功率放大器,其中,当所述输入信号等于或高于预置参考值时,所述旁路电路单元接通,并且当所述输入信号低于所述预置参考值时,所述旁路电路单元断开。
3.根据权利要求1所述的功率放大器,其中,所述电压降单元包括电阻器,其一端连接到由所述偏置电路单元供给所述偏置电压的供给节点,并且另一端连接到所述放大单元的输入节点。
4.根据权利要求1所述的功率放大器,其中,所述半导体开关器件根据模式电压执行开关操作,所述模式电压根据所述输入信号的大小具有接通电平或者断开电平。
5.根据权利要求1所述的功率放大器,其中,所述偏置电路单元包括:
调节电压生成单元,通过使用预置参考电压生成调节电压;和
偏置电压生成单元,根据所述调节电压生成所述偏置电压。
6.根据权利要求5所述的功率放大器,其中,所述调节电压生成单元通过分割所述参考电压并执行温度补偿来生成所述调节电压。
7.根据权利要求5所述的功率放大器,其中,所述调节电压生成单元包括:
第一温度补偿晶体管,具有经第一电阻器连接到预置参考电压的供给端子的集电极、连接到地的发射极、以及基极;和
第二温度补偿晶体管,具有连接到所述参考电压的供给端子的集电极、连接到所述第一温度补偿晶体管的集电极的基极、以及经第二电阻器连接到地的发射极。
8.根据权利要求7所述的功率放大器,其中,所述偏置电压生成单元包括偏置供给晶体管,所述偏置供给晶体管具有连接到所述参考电压的供给端子的集电极、连接到所述第一温度补偿晶体管的集电极的基极、以及连接到由所述偏置电路单元供给所述偏置电压的供给节点的发射极。
9.一种功率放大器,包括:
放大单元;
偏置电路单元,生成所述放大单元的偏置电压;
电压降单元,被布置在所述偏置电路单元和所述放大单元之间以使所述偏置电压降至基极电压;
旁路电路单元,包括并联连接到所述电压降单元的阻抗元件,并且根据基于输入信号的大小的控制来执行开关操作;和
旁路控制单元,根据所述输入信号的大小控制所述旁路电路单元的开关操作,
其中,所述旁路电路单元包括:
电容器,具有与由所述偏置电路单元供给偏置电压的供给节点连接的一端、以及另一端;和
半导体开关器件,具有与所述电容器的另一端连接的一端、以及通过信号耦合电容器与所述放大单元的输入节点连接的另一端,并且所述半导体开关器件根据所述输入信号的大小执行开关操作。
10.根据权利要求9所述的功率放大器,其中,当所述输入信号等于或高于预置参考值时,所述旁路控制单元控制所述旁路电路单元接通,并且当所述输入信号低于所述预置参考值时,所述旁路控制单元控制所述旁路电路单元断开。
11.根据权利要求10所述的功率放大器,其中,当所述输入信号等于或高于预置参考值时,所述旁路电路单元在所述旁路控制单元的控制下接通,并且当所述输入信号低于所述预置参考值时,所述旁路电路单元在所述旁路控制单元的控制下断开。
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