[发明专利]一种雪崩光电探测器和提高雪崩光电探测器高频特性的方法

权利要求书

1.一种雪崩光电探测器，用于探测目标探测光，包括纵向依次排列的吸收层(8)、第一电荷层(61)和倍增层(5)，

所述吸收层(8)用于吸收目标探测光，将目标探测光的光子转化为光生自由载流子对；

所述第一电荷层(6)用于调控器件内部电场分布；

所述倍增层(5)用于使进入其中的自由载流子引发雪崩倍增效应，产生雪崩载流子对；其特征在于：

所述雪崩光电探测器还包括渡越层(9)，所述渡越层(9)与所述吸收层(8)分别位于倍增层(5)的两侧，所述雪崩载流子对中的一种类型的载流子经由所述渡越层(8)纵向漂移至所述雪崩光电探测器的一端。

2.如权利要求1所述的雪崩光电探测器，其特征在于，所述渡越层的禁带宽度大于目标探测光的光子能量。

3.如权利要求1所述的雪崩光电探测器，其特征在于，所述雪崩光电探测器还包括第二电荷层(62)，其位于所述倍增层(5)的相对于具有所述第一电荷层(61)的一侧的另一侧，并且其掺杂类型与所述第一电荷层(61)相反。

4.如权利要求3所述的雪崩光电探测器，其特征在于，所述第二电荷层(62)紧邻所述倍增层(5)。

5.一种提高雪崩光电探测器高频特性的方法，所述雪崩光电探测器用于探测目标探测光，包括纵向依次排列的吸收层(8)、第一电荷层(61)和倍增层(5)，所述吸收层(8)用于吸收目标探测光，将目标探测光的光子转化为光生自由载流子对；所述第一电荷层(6)用于调控器件内部电场分布；所述倍增层(5)用于使进入其中的自由载流子引发雪崩倍增效应，产生雪崩载流子对；其特征在于，所述方法包括：

提供渡越层(9)，并使所述渡越层(9)与所述吸收层(8)分别位于倍增层(5)的两侧，当所述倍增层(5)产生雪崩载流子时，使所述雪崩载流子对中的一种类型的载流子经由所述渡越层(8)纵向漂移至所述雪崩光电探测器的一端。

6.如权利要求5所述的提高雪崩光电探测器高频特性的方法，其特征在于，所述渡越层的禁带宽度大于目标探测光的光子能量。

7.如权利要求5所述的提高雪崩光电探测器高频特性的方法，其特征在于，该方法还包括：

在所述倍增层(5)的相对于具有所述第一电荷层(61)的一侧的另一侧提供一第二电荷层(62)，并使其掺杂类型与所述第一电荷层(61)相反。

8.如权利要求7所述的提高雪崩光电探测器高频特性的方法，其特征在于，使所述第二电荷层(62)紧邻所述倍增层(5)。