[发明专利]太阳能电池的制作方法及太阳能电池无效
| 申请号： | 201310050811.8 | 申请日： | 2013-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN103985779A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 金光耀;王懿喆;洪俊华 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制作方法 | ||
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、采用离子注入的方式在一衬底上形成一PN结构；
步骤S2、对该PN结构进行退火处理，并且在退火的同时通入氧气以在在该衬底的正面和背面上形成氧化膜；
步骤S3、在该PN结构的背面设置一掩膜板，其中被该掩膜板所覆盖的区域为电极区域，在该PN结构的背面上形成一保护层，该保护层形成于未被该掩膜板覆盖的区域；
步骤S4、去除该掩膜板，在该衬底的背面的该金属区域形成电极。
2.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，该掩膜板为条状网板或者栅格状网板。
3.如权利要求2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，该掩膜板为金属网板。
4.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，该保护层是通过PECVD工艺所形成的氮化硅层，和/或，该掩膜板能承受200℃以上的温度。
5.如权利要求1-4中任意一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S1中通过在具有一第一导电类型的衬底的正面注入具有第二导电类型的离子以得到该PN结构。
6.如权利要求5所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S4中还包括在该PN结构的正面形成电极的步骤。
7.如权利要求1-4中任意一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S1中还包括在该衬底的正面制绒的步骤。
8.如权利要求1-4中任意一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S2之后、步骤S3之前还包括在该PN结构的正面形成一减反射层的步骤。
9.如权利要求1-4中任意一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S4中通过丝网印刷来形成电极。
10.一种采用权利要求1-9中任意一项所述的太阳能电池的制作方法得到的太阳能电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
