[发明专利]等离子体处理装置及等离子体的监视方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

收容被处理体的处理容器；

载置台，其设置于所述处理容器的内部，具有载置所述被处理体的载置面；

气体供给机构，其向所述处理容器内供给处理气体；

多个微波导入模块，其将用于在所述处理容器内生成等离子体的微波分别导入所述处理容器内；

多个发光传感器，其为了基于根据在所述处理容器内进行的等离子体处理的条件预先选择的对象波长来检测每个所述微波导入模块生成的等离子体的发光，而与所述多个微波导入模块分别对应设置；和

控制部，其基于所述多个发光传感器的检测数据，分别监视所述多个等离子体的状态。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于:

所述对象波长基于从所述多个微波导入模块中相互相邻的两个微波导入模块分别被导入的微波所生成的两个等离子体的发光强度之比而被选择。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于:

所述发光强度之比是在将为了生成监视对象的等离子体而由所述微波导入模块导入的微波功率PA，和为了生成与该监视对象的等离子体相邻的等离子体而由所述微波导入模块导入的微波功率PB之比PB／PA设定为5以上的条件下，分别生成等离子体而测量得到的。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于:

所述等离子体处理为等离子体氧化处理，所述对象波长在777nm附近。

5.如权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于:

所述等离子体处理为等离子体氮化处理，所述对象波长在835nm附近。

6.如权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于:

所述多个微波导入模块分别具有使微波透过并被导入至所述处理容器内的微波透过窗，所述发光传感器设于隔着所述微波透过窗来检测所述等离子体的发光的位置。

7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于:

所述多个微波导入模块配置成：在所述处理容器的顶部的中央部分设置一个中心微波透过窗，以包围所述中心微波透过窗的方式在所述中心微波透过窗的外侧设置至少六个外侧微波透过窗。

8.一种等离子体的监视方法，其在等离子体处理装置中进行等离子体的监视，该等离子体的监视方法的特征在于：

所述等离子体处理装置包括：

收容被处理体的处理容器；

载置台，其设置于所述处理容器的内部，具有载置所述被处理体的载置面；

气体供给机构，其向所述处理容器内供给处理气体；

多个微波导入模块，其将用于在所述处理容器内生成等离子体的微波分别导入所述处理容器内；和

多个发光传感器，其为了基于根据在所述处理容器内进行的等离子体处理的条件预先选择的对象波长来检测每个所述微波导入模块生成的等离子体的发光，而与所述多个微波导入模块分别对应设置，

基于所述多个发光传感器的检测数据，分别监视所述多个等离子体的状态。

9.如权利要求8所述的等离子体的监视方法，其特征在于：

所述对象波长基于通过从所述多个微波导入模块中相互相邻的两个微波导入模块分别被导入的微波生成的两个等离子体的发光强度之比而被选择。

10.如权利要求9所述的等离子体的监视方法，其特征在于：

所述发光强度之比是在将为了生成监视对象的等离子体而由所述微波导入模块导入的微波功率PA，和为了生成与该监视对象的等离子体相邻的等离子体而由所述微波导入模块导入的微波功率PB之比PB／PA设定为5以上的条件下，分别生成等离子体而测量得到的。

11.如权利要求8～10中的任一项所述的等离子体的监视方法，其特征在于：

所述等离子体处理为等离子体氧化处理，所述对象波长在777nm附近。

12.如权利要求8～10中的任一项所述的等离子体的监视方法，其特征在于：

所述等离子体处理为等离子体氮化处理，所述对象波长为835nm附近。