[发明专利]异质结MWT电池及其制作方法、载片舟

权利要求书

1.一种异质结MWT电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底的正面覆盖有正面钝化层，背面覆盖有背面钝化层，且所述衬底具有至少一个贯穿其自身、正面钝化层及背面钝化层的过孔；

采用掩膜片将所述衬底背面的过孔完全遮挡，在衬底的背面形成背面掺杂层，在所述背面掺杂层背离衬底一侧的表面上形成背面导电层，在所述背面导电层背离衬底一侧的表面上形成背面电极层；

去除所述掩膜片，在所述过孔内填充导电材料，并在衬底正面形成正面栅线，在衬底背面未被背面掺杂层、背面导电层和背面电极层覆盖的区域形成接触区，所述正面栅线通过所述过孔内的导电材料与所述接触区电性相连，且所述接触区与所述背面掺杂层、背面导电层和背面电极层电性绝缘。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用掩膜片将所述衬底背面的过孔完全遮挡的过程为，将所述衬底置于载片舟上，所述载片舟包括边框、位于所述边框围成的区域内的至少一个掩膜片及与所述掩膜片和边框相连接的支撑结构，所述衬底背面的过孔被所述掩膜片完全遮挡。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述掩膜片所遮挡的衬底背面的面积大于所述接触区所遮挡的衬底背面的面积。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在衬底的背面形成背面掺杂层，与所述在所述背面掺杂层背离衬底一侧的表面上形成背面导电层之间，还包括：

在衬底的正面形成正面掺杂层；

在所述正面掺杂层背离衬底一侧的表面上形成正面导电层。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述背面钝化层、背面掺杂层、背面导电层、背面电极层、正面钝化层、正面掺杂层及正面导电层的形成工艺相同或不同，所述形成工艺为化学气相淀积或物理气相淀积。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述过孔内填充导电材料，并在衬底正面形成正面栅线，在衬底背面未被背面掺杂层、背面导电层和背面电极层覆盖的区域形成接触区的过程为，采用丝网印刷工艺在所述过孔内填充导电材料，并在衬底正面印刷正面栅线，在衬底背面未被背面掺杂层、背面导电层和背面电极层覆盖的区域印刷接触区。

7.一种载片舟，应用于权利要求1～6任一项所述的制作方法，其特征在于，所述载片舟包括边框、位于所述边框围成的区域内的至少一个掩膜片及与所述掩膜片和边框相连接的支撑结构；

所述掩膜片所覆盖的衬底背面的面积大于所述过孔所占的衬底背面的面积，所述掩膜片用于完全遮挡所述衬底背面的过孔。

8.根据权利要求7所述的载片舟，其特征在于，所述掩膜片为圆形。

9.根据权利要求8所述的载片舟，其特征在于，所述载片舟的支撑结构包括多条形成网状结构的支撑线，所述掩膜片位于所述支撑线的交点处。

10.一种异质结MWT电池，其特征在于，包括：

衬底，覆盖所述衬底正面的正面钝化层，覆盖所述衬底背面的背面钝化层，至少一个贯穿所述衬底、正面钝化层及背面钝化层的过孔；

位于在所述衬底背面的背面掺杂层，位于在所述背面掺杂层背离衬底一侧的表面上的背面导电层，位于在所述背面导电层背离衬底一侧的表面上的背面电极层；

位于所述过孔内的导电材料，位于衬底正面的正面栅线，位于衬底背面未被背面掺杂层、背面导电层和背面电极层覆盖的区域上的接触区，所述正面栅线通过所述过孔内的导电材料与所述接触区电性相连，且所述接触区与所述背面掺杂层、背面导电层和背面电极层电性绝缘。

11.根据权利要求10所述的异质结MWT电池，其特征在于，还包括：

覆盖在衬底正面的正面掺杂层；

覆盖在所述正面掺杂层背离衬底一侧的表面上的正面导电层。