[发明专利]光学元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光学元件，其特征在于，

具有入射电磁波的呈周期性结构的凹凸形状部，

在构成所述凹凸形状部的表面的第一面和第二面中，

远离所述电磁波的入射侧的所述第一面的表面粗糙度大于靠近所述电磁波的入射侧的所述第二面的表面粗糙度。

2.根据权利要求1所述的光学元件，其特征在于，

在用正态分布下的标准偏差表示表面粗糙度的情况下，

与所述第一面的表面粗糙度相对应的第一标准偏差大于与所述第二面的表面粗糙度相对应的第二标准偏差。

3.根据权利要求2所述的光学元件，其特征在于，

所述第一标准偏差为22nm以上且44nm以下。

4.根据权利要求1所述的光学元件，其特征在于，

所述电磁波包含第一偏振光、以及偏振方向与所述第一偏振光正交的第二偏振光，

在所述第一面吸收所述第一偏振光，

在所述第二面反射所述第二偏振光。

5.根据权利要求1所述的光学元件，其特征在于，

所述电磁波包含第一偏振光、以及偏振方向与所述第一偏振光正交的第二偏振光，

所述第一偏振光在所述第一面的反射率小于所述第二偏振光在所述第二面的反射率。

6.根据权利要求5所述的光学元件，其特征在于，

所述第一偏振光在所述第一面的反射率为1％以下，

所述第二偏振光在所述第二面的反射率为85％以上。

7.根据权利要求1所述的光学元件，其特征在于，

所述凹凸形状部的周期小于所述电磁波的波长。

8.根据权利要求1所述的光学元件，其特征在于，

所述光学元件是反射型偏振片。

9.一种光学元件，其特征在于，包括：

入射电磁波的呈周期性结构的凹凸形状部；以及

设置在所述凹凸形状部的下层、吸收所述电磁波的吸收层。

10.根据权利要求9所述的光学元件，其特征在于，

所述电磁波包含第一偏振光、以及偏振方向与所述第一偏振光正交的第二偏振光，

所述第一偏振光在所述吸收层被吸收，

所述第二偏振光在构成所述凹凸形状部的上表面被反射。

11.根据权利要求9所述的光学元件，其特征在于，

所述电磁波包含第一偏振光、以及偏振方向与所述第一偏振光正交的第二偏振光，

所述第一偏振光在所述吸收层的反射率小于所述第二偏振光在构成所述凹凸形状部的上表面的反射率。

12.根据权利要求9所述的光学元件，其特征在于，

所述吸收层由金属氧化物膜或金属氮化物膜形成。

13.一种光学元件的制造方法，其特征在于，包括：

(a)准备基板的工序；

(b)在所述基板的表面形成具有周期性结构的凹凸形状部的工序；以及

(c)以具有指向性的成膜法在形成了所述凹凸形状部的所述基板上形成反映了所述凹凸形状部的形状的金属膜的工序。

14.根据权利要求13所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

所述(c)工序是利用粒子束成膜的成膜工序，其中所述粒子束的金属粒子的动能局部存在于所述基板的厚度方向。

15.根据权利要求13所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

所述(c)工序是使所述金属膜的凹部底面的表面粗糙度大于所述金属膜的凸部上表面的表面粗糙度的工序。