[发明专利]引线孔的返工方法

权利要求书

1.一种引线孔的返工方法，其特征在于，于钝化光刻和聚酰亚胺光刻工艺后进行，所述聚酰亚胺光刻包括在晶圆表面涂布聚酰亚胺，在聚酰亚胺表面涂布光刻胶并进行曝光和显影的步骤，所述方法包括下列步骤：

剥离晶圆表面的聚酰亚胺；

重新在所述晶圆上淀积铝层；

在所述铝层表面涂布光刻胶并曝光显影，显影后剩余的光刻胶图形为所述钝化光刻中显影后光刻胶图形的互补图形；

腐蚀所述铝层；

再次进行所述聚酰亚胺光刻；

固化晶圆表面的所述聚酰亚胺。

2.根据权利要求1所述的引线孔的返工方法，其特征在于，所述在所述铝层表面涂布光刻胶并曝光显影的步骤中使用的掩膜版与所述钝化光刻工艺中使用的掩膜版相同、光刻胶类型相反。

3.根据权利要求2所述的引线孔的返工方法，其特征在于，所述在所述铝层表面涂布光刻胶并曝光显影的步骤中使用的光刻胶为负性光刻胶，所述钝化光刻工艺中使用的光刻胶为正性光刻胶。

4.一种引线孔的返工方法，其特征在于，于钝化光刻和钝化腐蚀工艺后进行，包括下列步骤：

在形成有铝层、引线孔及引线孔两侧的铝层上的钝化层的晶圆上重新淀积铝层；

在所述铝层表面涂布光刻胶并曝光显影，显影后剩余的光刻胶图形为所述钝化光刻中显影后光刻胶图形的互补图形；

腐蚀所述铝层。

5.根据权利要求4所述的引线孔的返工方法，其特征在于，所述重新在晶圆上淀积铝层的步骤前还包括再次对晶圆进行所述钝化光刻的步骤，以及通过刻蚀去除造成返工的残留杂质的步骤。

6.根据权利要求5所述的引线孔的返工方法，其特征在于，所述残留杂质为氮化钛。

7.根据权利要求4所述的引线孔的返工方法，其特征在于，所述钝化腐蚀工艺中腐蚀的钝化介质为二氧化硅或氮化硅。

8.根据权利要求4所述的引线孔的返工方法，其特征在于，所述在所述铝层表面涂布光刻胶并曝光显影的步骤中使用的掩膜版与所述钝化光刻工艺中使用的掩膜版相同、光刻胶类型相反。

9.根据权利要求8所述的引线孔的返工方法，其特征在于，所述在所述铝层表面涂布光刻胶并曝光显影的步骤中使用的光刻胶为负性光刻胶，所述钝化光刻工艺中使用的光刻胶为正性光刻胶。