[发明专利]气体注入器和具有气体注入器的膜沉积设备无效
申请号: | 201310052664.8 | 申请日: | 2008-12-30 |
公开(公告)号: | CN103147068A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 李亨燮;南宫晟泰;李圭桓;权宁浩;李昌宰 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司;ADS有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林彦 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 注入 具有 沉积 设备 | ||
1.一种气体注入器,其包括:
加热单元,其经配置以将原材料气化;以及
注入单元,其包括提供于所述加热单元下方的内部空间,其中来自所述加热单元的气化原材料被接收到所述内部空间中并保持在其中,且气体注入通路与所述内部空间连通从而以穿透方式朝向所述气体注入单元的下表面延伸,
其中所述气体注入通路的一个末端形成于所述内部空间的侧壁上。
2.根据权利要求1所述的气体注入器,其中所述气体注入通路是弯曲的。
3.根据权利要求2所述的气体注入器,其中所述气体注入通路包括至少一个平面部分以及连接到所述平面部分的至少一个垂直部分。
4.根据权利要求1所述的气体注入器,其中所述注入单元包括经配置以在其中提供所述内部空间的第一注入单元以及耦合到所述第一注入单元的外部的第二注入单元,且所述气体注入通路形成于所述第一注入单元和所述第二注入单元内。
5.根据权利要求4所述的气体注入器,其中所述气体注入通路从所述第一注入单元的内表面延伸到所述第二注入单元的下表面。
6.一种膜沉积设备,其包括:
腔室;
衬底支撑件,其安置在所述腔室的下部部分中;以及
注入单元,其包括提供为面向所述衬底支撑件的内部空间,其中原材料保持在所述内部空间中,且气体注入通路与所述内部空间连通从而以穿透方式朝向所述气体注入单元的下表面延伸,
其中所述气体注入通路的一个末端形成于所述内部空间的侧壁上。
7.根据权利要求6所述的膜沉积设备,其中所述气体注入通路与所述内部空间连通从而以穿透方式朝向所述气体注入单元的下表面延伸进一步经配置以朝向所述内部空间的内壁弯曲。
8.根据权利要求7所述的膜沉积设备,其中所述内部空间的底表面是密封的,且所述气体注入通路经配置以在所述内部空间的内部的一个侧壁具有形状的截面。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的