[发明专利]显示装置无效
申请号: | 201310052739.2 | 申请日: | 2013-02-18 |
公开(公告)号: | CN103426899A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 中野慎太郎;上田知正;三浦健太郎;齐藤信美;坂野龙则;山口一 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
相关申请的交叉引用
本申请基于2012年5月22日提交的在先日本专利申请No.2012-116835并要求其优先权的权益;该申请的全部内容通过引用结合于此。
技术领域
本文描述的实施例总的来说涉及显示装置。
背景技术
有一种有源矩阵显示装置,其中诸如薄膜晶体管之类的开关元件控制通过有机EL(电致发光)器件的电流。期望改进这种显示装置中的图像质量。
发明内容
根据一个实施例,一种显示装置包括衬底、薄膜晶体管、像素电极、有机发光层、公共电极和密封单元。在所述衬底上设置所述薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括栅电极、栅极绝缘膜、半导体膜、第一导电部分和第二导电部分。所述栅电极设置在所述衬底上。在所述栅电极上设置所述栅极绝缘膜。在所述栅极绝缘膜上设置所述半导体膜。所述第一导电部分电连接至所述半导体膜。所述第二导电部分电连接至所述半导体膜。所述第二导电部分设置为远离所述第一导电部分。所述像素电极电连接至所述第一导电部分和所述第二导电部分之一。所述有机发光层设置在所述像素电极上。所述公共电极设置在所述有机发光层上。所述密封单元设置在所述公共电极上。该密封单元包括第一密封膜和第二密封膜。所述第一密封膜具有1020个原子/cm3或小于1020个原子/cm3的氢浓度。所述第二密封膜堆叠在所述第一密封膜上。所述第二密封膜具有1020个原子/cm3或小于1020原子/cm3的氢浓度。所述第二密封膜的折射率不同于所述第一密封膜的折射率。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的显示装置的配置的示意性截面图;
图2A和图2B是示出根据参考示例的显示装置的特性的曲线图;
图3A和图3B是示出根据第一实施例的显示装置的特性的曲线图;
图4是示出密封单元的氢浓度的特性的曲线图;
图5A至图5F是示出用于制造根据第一实施例的显示装置的方法的示意性截面图;
图6是示出用于制造根据第一实施例的显示装置的方法的流程图;
图7是示出根据第一实施例的另一显示装置的配置的示意性截面图;
图8是示出根据第二实施例的显示装置的配置的示意图;
图9A和图9B是示出根据第二实施例的显示装置的特性的曲线图;以及
图10A至图10C是示出用于制造根据第二实施例的显示装置的方法的示意性截面图。
具体实施方式
在下文中将参考附图来描述各个实施例。
需要注意的是,附图是示意性或概念性的。各部分的厚度和宽度之间的关系以及各部分之间的大小比例等不一定与实际相同。另外,即使在表示相同部分的情况下,所述各部分之间的尺寸和比例有时也根据附图以不同的方式进行表示。
在说明书和附图中,与在上述附图中所描述或示出的组件类似的组件用相同的附图标记来标注,并且酌情省略详细描述。
第一实施例
图1是示出根据第一实施例的显示装置的配置的示意性截面图。
如图1所示,根据本实施例的显示装置110包括衬底10、薄膜晶体管12、像素电极16、有机发光层18、公共电极20和密封单元22。
像素电极16、有机发光层18和公共电极20形成了有机EL发光元件部分24。发光元件部分24由薄膜晶体管12控制和驱动。在显示装置110中,以矩阵结构设置开关元件12和发光元件部分24的组合。控制开关元件12的驱动和与该驱动相关联的发光元件部分24的光发射,以显示画面。显示装置110为使用有机EL器件的有源矩阵显示装置。
衬底10具有主表面10a。衬底10包括主体部分4和阻挡层5。例如,透光材料被用于主体部分4。例如,玻璃材料或树脂材料被用于主体部分4。透光且柔性的材料可用于主体部分4。例如,诸如聚酰亚胺之类的树脂材料被用于主体部分4。例如,阻挡层5抑制穿透主体部分4的杂质和湿气的渗透,并保护设置在衬底10上的薄膜晶体管12和发光元件部分24。例如,透光且柔性的材料被用于阻挡层5。
薄膜晶体管12设置在衬底10的主表面10a上。
薄膜晶体管12包括第一导电部分31、第二导电部分32、栅电极33、栅极绝缘膜34、半导体膜35和沟道保护膜36。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的