[发明专利]用于辐射检测器的半导体结构以及辐射检测器

权利要求书

1.一种用于辐射检测器的半导体结构，具有：

-由第一导电型的半导体材料组成的基体(12)，

-半导体基体(14)，所述半导体基体(14)

-具有设置在基体(12)上的半导体层，所述半导体层相对于基体(12)是高电阻的，

-是第一导电型的，并且

-是以一定掺杂浓度电掺杂的，

-多个掺杂区域(13)，所述掺杂区域(13)

-埋入所述半导体基体(14)中并相互绝缘地构成，

-是第二导电型的，第二导电型与第一导电型相反，以及

-是以一定掺杂浓度电掺杂的，该掺杂浓度大于所述半导体基体(14)中的掺杂浓度，

-至少一个另外的掺杂区域(15)，所述至少一个另外的掺杂区域(15)

-埋入所述半导体基体(14)中并配设给一个或多个所述掺杂区域(13)，

-是第一导电型的，并且

-是以一定掺杂浓度电掺杂的，该掺杂浓度大于所述半导体基体(14)中的掺杂浓度，以及

-覆盖层(10)，所述覆盖层(10)设置在所述半导体基体(14)上并且是第二导电型的，

其中，在所述半导体基体(14)中在设置在其中的所述掺杂区域(13)与所述另外的掺杂区域(15)和设置在所述半导体基体(14)上的所述覆盖层(10)之间构成雪崩区域，就是说，具有高电场强度的区域，在该区域中，在运行中由于撞击发生自由载流子的复制，以及

在所述半导体基体(14)中在设置在其中的所述掺杂区域(13)与所述另外的掺杂区域(15)和所述基体(12)之间构成熄灭区域。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述至少一个另外的掺杂区域(15)设置在所述掺杂区域(13)在朝向所述覆盖层(10)的侧面和/或朝向所述基体(12)的侧面上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述至少一个另外的掺杂区域(15)与一个或多个配设的所述掺杂区域(13)相接触地构造。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述至少一个另外的掺杂区域(15)在所述至少一个另外的掺杂区域(15)与一个或多个配设的所述掺杂区域(13)相重叠地构成的重叠区域中具有这样的层厚，该层厚不同于所述至少一个另外的掺杂区域(15)在所述重叠区域之外的层厚。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，对于所述至少一个另外的掺杂区域(15)，在所述重叠区域中的层厚小于在所述重叠区域之外的层厚。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述至少一个另外的掺杂区域(15)构造成一个用于多个所述掺杂区域(13)的连贯的掺杂区域。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述至少一个另外的掺杂区域(15)面式地与所述掺杂区域(13)之一重叠并且围绕重叠区域形成基本上环绕地保持相同的突出部，在所述突出部中所述至少一个另外的掺杂区域(15)相对于所述掺杂区域(13)中的一个侧向突出。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述至少一个另外的掺杂区域(15)至少局部地以与所述一个或多个配设的掺杂区域(13)相同的层厚构造。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述半导体基体(14)的区域内，在所述覆盖层(10)和所述掺杂区域(13、15)之间构成一个或多个附加的上部掺杂区域(41)，所述一个或多个附加的上部掺杂区域(41)在所述半导体基体(14)中在从所述覆盖层(10)到所述掺杂区域(13)和所述另外的掺杂区域(15)的延展上限定雪崩区域(42)。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述半导体基体(14)的区域内，在所述基体(12)和所述掺杂区域(13)与所述另外的掺杂区域(15)之间构成一个或多个附加的下部掺杂区域(43)，所述一个或多个附加的下部掺杂区域(43)在所述半导体基体(14)中在从所述掺杂区域(13)与所述另外的掺杂区域(15)到所述基体(12)的延展上限定熄灭区域(44)。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体基体(14)构造成高电阻的，具有至少500欧姆厘米的单位电阻。

12.一种雪崩辐射检测器，具有根据上述权利要求中至少一项所述的半导体结构。