[发明专利]BSI芯片中的多金属膜堆叠件

权利要求书

1.一种方法，包括：

在半导体衬底中形成开口，所述开口从所述半导体衬底的背面延伸到所述半导体衬底的正面上的金属焊盘；

在所述半导体衬底的背面上形成第一导电层，所述第一导电层延伸到所述开口中以接触所述金属焊盘；

在所述第一导电层上方形成第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层包括不同的材料；

执行第一图案化步骤以从第一器件区域和第二器件区域中去除所述第二导电层，在所述第一图案化步骤之后保留所述第二导电层位于所述金属焊盘上方的部分，并且所述第一导电层在所述第一图案化步骤中用作蚀刻停止层；以及

执行第二图案化步骤以从所述第一器件区域中去除部分所述第一导电层，在所述第二图案化步骤之后保留所述导电层位于所述第二器件区域中的部分以形成金属屏蔽层，并且所述金属屏蔽层与黑色参考图像传感器重叠。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一导电层的步骤包括：

形成导电阻挡层以接触所述金属焊盘；

在所述导电阻挡层上方形成铝铜层；以及

在所述铝铜层上方形成导电蚀刻停止层，所述第二导电层与所述导电蚀刻停止层接触。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一导电层的步骤包括：形成单个导电层，所述单个导电层包括接触所述金属焊盘的底面和接触所述第二导电层的顶面。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一导电层的步骤包括：

形成导电阻挡层以接触所述金属焊盘；以及

形成位于所述导电阻挡层上方并与所述导电阻挡层接触的导电蚀刻停止层，所述导电蚀刻停止层包括接触所述第二导电层的顶面。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二图案化步骤之后，保留所述第一导电层位于所述第一器件区域中的部分以形成金属栅格。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二图案化步骤之后，去除所述第一器件区域中的整个所述第一导电层，并且所述第一器件区域其中包括多个有源图像传感器。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述第二图案化步骤之后，

覆盖形成钝化层，所述钝化层包括：

分别位于所述第一器件区域和所述第二器件区域中的第一部分和第二部分；和

与所述金属焊盘重叠的第三部分；以及

去除所述钝化层的所述第三部分，并且不去除所述钝化层的所述第一部分和所述第二部分。

8.一种方法，包括：

形成从半导体衬底的背面延伸至所述半导体衬底的正面上的金属焊盘的开口；

形成第一导电层，其中，所述第一导电层包括：

与所述半导体衬底中的有源图像传感器重叠的第一部分；

与所述半导体衬底中的黑色参考图像传感器重叠的第二部分；和

延伸到所述开口中以接触所述金属焊盘的第三部分；

在所述第一导电层上方形成第二导电层并且所述第二导电层与所述第一导电层接触；

执行第一图案化步骤以去除所述第二导电层的第一部分和第二部分，所述第一导电层在所述第一图案化步骤中用作蚀刻停止层；以及

执行第二图案化步骤以去除所述第一导电层的第一部分的一部分，在第二图案化步骤之后保留所述第一导电层的第二部分和第三部分以及所述第二导电层与所述第一导电层的第三部分重叠的部分。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述第一导电层的步骤包括：

在所述金属焊盘上方形成铝铜层；以及

在所述铝铜层上方形成导电蚀刻停止层，所述第一图案化步骤停止于所述导电蚀刻停止层。

10.一种器件，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底中的黑色参考图像传感器；

位于所述半导体衬底的正面上的金属焊盘；

第一导电层，包括：

第一部分，穿透所述半导体衬底以连接至所述金属焊盘；和

第二部分，与所述黑色参考图像传感器重叠；

位于所述第一导电层的第一部分上方并与所述第一导电层的第一部分接触的第二导电层；以及

位于所述第一导电层的第二部分上方并与所述第一导电层的第二部分接触的介电层。