[发明专利]基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置

权利要求书

1.一种基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置，其包括硅基波导和激光器，所述硅基波导具有硅基光栅和硅基输出波导，所述硅基输出波导为耦合波导结构；所述激光器的表面上分布有周期狭槽，该周期狭槽使得激光器发出的激光光束倾斜输出，并照射到所述硅基光栅后，从硅基输出波导耦合输出。

2.如权利要求1所述的光源装置，其特征在于，所述硅基波导由SOI材料构成，所述激光器由III-V族材料构成。

3.如权利要求1所述的光源装置，其特征在于，所述硅基光栅由周期狭槽构成，其周期满足布拉格条件，该周期狭槽包括直线形和曲线形。

4.如权利要求1所述的光源装置，其特征在于，所述硅基光栅表面覆盖有抗反射膜。

5.如权利要求1所述的光源装置，其特征在于，所述硅基输出波导为所述硅基光栅末端通过两个对弯沟槽形成的。

6.如权利要求1所述的光源装置，其特征在于，所述激光器直接键合于所述硅基波导上。

7.如权利要求6所述的光源装置，其特征在于，所述硅基光栅和硅基输出波导位于硅基波导表面上未被激光器覆盖的一端。

8.如权利要求7所述的光源装置，其特征在于，所述周期狭槽位于激光器上接近所述硅基光栅和硅基输出波导的一端。

9.一种基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置的制作方法，其包括：

步骤1、定制激光器外延片和硅基波导晶片；

步骤2、在所述激光器外延片的上表面刻蚀周期狭槽；

步骤3、并在刻蚀了所述周期狭槽的激光器外延片上表面制作P电极，在其下表面制作N电极，以完成激光器的制作；

步骤4、在硅基波导晶片上制作硅基光栅，并在所述硅基光栅末端制作耦合波导；

步骤5、光束对准耦合，使得经过所述周期狭槽倾斜发射的激光光束对准耦合至所述硅基光栅；

步骤6、将所述激光器外延片和所述硅基波导晶片通过键合粘合在一起，完成所述基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置的制作。