[发明专利]远程等离子体增强原子层沉积低温生长石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201310053286.5 | 申请日： | 2013-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN103121670A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 任巍;张易军;史鹏;吴小清 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 远程 等离子体 增强 原子 沉积 低温 生长 石墨 方法 | ||
1.一种远程等离子体增强原子层沉积低温生长石墨烯的方法，其特征在于，以液态苯作为C源，使用PEALD设备进行ALD模式的石墨烯生长，以远程等离子体作为PEALD的另外一种源获得低温生长；以铜箔为基底，反应前采用3kW的大功率H2/Ar等离子体对Cu基底表面进行清洗和还原，去除Cu基底表面的污物和氧化层。
2.根据权利要求1所述的远程等离子体增强原子层沉积低温生长石墨烯的方法，其特征在于：
1）以液态苯和高纯H2/Ar混合等离子作为前驱体源；
2）将预先洗干净的Cu箔用PEALD的真空加载系统送入反应腔体并将其在1000Pa的氮气气氛下进行加热并稳定到400℃；
3）将Cu基底在3kW的大功率远程H2/Ar等离子体下预处理20分钟；
4）开始PEALD循环，每个大循环包括：脉冲0.2秒的苯源，氮气清洗6秒将没有反应的苯排走，开始H2/Ar等离子体脉冲9秒，然后再用氮气清洗1秒，重复以上过程数次。
3.根据权利要求1所述的远程等离子体增强原子层沉积低温生长石墨烯的方法，其特征在于，步骤4）具体为：将苯源和等离子体源分别通入反应腔体，且中间进行氮气清洗脉冲。
4.根据权利要求1所述的远程等离子体增强原子层沉积低温生长石墨烯的方法，其特征在于，步骤4）中，通过响应速度小于0.1秒的ALD脉冲阀来控制苯蒸汽进入反应室的量。
5.根据权利要求1所述的远程等离子体增强原子层沉积低温生长石墨烯的方法，其特征在于，步骤4）中，通过控制PEALD循环次数制备单层或多层石墨烯。
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