[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1导电型的第1半导体层；

第2导电型的第2半导体层，设置在上述第1半导体层之上；

第1导电型的第1半导体区域，设置在上述第2半导体层之上；

第2导电型的第2半导体区域，与设置在上述第2半导体层之上的上述第1半导体区域相接，具有比上述第2半导体层高的杂质元素浓度；

第1电极，经由第1绝缘膜与上述第1半导体区域、上述第2半导体层以及上述第1半导体层相接；

第2电极，经由第2绝缘膜与上述第2半导体区域相接；

第3电极，与上述第1半导体区域以及上述第2半导体区域连接；

第4电极，与上述第1半导体层电连接；以及

一对第5电极，经由第3绝缘膜夹持上述第1半导体层、上述第1电极、以及上述第2电极，

上述一对第5电极各自排列的方向上的上述第1半导体区域的第一宽度和上述方向上的上述第2半导体区域的第二宽度相同，

上述第2半导体区域的下端和上述第1半导体层的下表面之间的第一长度，比上述第2电极的下端和上述第1半导体层的下表面之间的第二长度短。

2.一种半导体装置，具备：

第1导电型的第1半导体层；

第2导电型的第2半导体层，设置在上述第1半导体层之上；

第1导电型的第1半导体区域，设置在上述第2半导体层之上；

第2导电型的第2半导体区域，与设置在上述第2半导体层之上的上述第1半导体区域相接，具有比上述第2半导体层高的杂质元素浓度；

第1电极，经由第1绝缘膜与上述第1半导体区域、上述第2半导体层以及上述第1半导体层相接；

第2电极，经由第2绝缘膜与上述第2半导体区域相接；

第3电极，与上述第1半导体区域以及上述第2半导体区域连接；以及

第4电极，与上述第1半导体层电连接。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

还具备经由第3绝缘膜夹持上述第1半导体层、上述第1电极以及上述第2电极的一对第5电极，

上述一对第5电极各自排列的方向上的上述第1半导体区域的第一宽度和上述方向上的上述第2半导体区域的第二宽度相同。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

上述第2半导体区域的下端和上述第1半导体层的下表面之间的第一长度，比上述第2电极的下端和上述第1半导体层的下表面之间的第二长度短。

5.如权利要求1~4中任一项所述半导体装置，其中，

上述第2电极以及上述一对第5电极与上述第3电极相接。