[发明专利]一种半导体器件测试装置及其测试方法

权利要求书

1.一种半导体器件测试装置，包括测试单元和探针台，所述测试单元包括台盘、固定在台盘上的圆片和设置于圆片上的半导体器件，所述半导体器件包括测试芯片和非测试芯片；其特征在于，所述探针台中的探针包括与测试芯片正面接触的探针和与非测试芯片正面硅表面接触的可施加高压的探针，所述台盘为接地的台盘。

2.如权利要求1所述的半导体器件测试装置，其特征在于，所述半导体器件的测试芯片和非测试芯片均采用高压快恢复二极管、IGBT器件或MOSEFT管。

3.如权利要求1所述的半导体器件测试装置，其特征在于，所述圆片的直径小于台盘的直径；所述台盘与圆片背面接触；在所述圆片上设置一个测试芯片和至少一个非测试芯片；

所述圆片由半导体材料构成，所述台盘由金属材料构成。

4.如权利要求1所述的半导体器件测试装置，其特征在于，所述与测试芯片正面接触的探针为测试探针，此时测试芯片电位为0；所述与非测试芯片表面接触的可施加高压的探针为高压探针，此时测试芯片电位为施加的高电压；所述高电压≥1200V。

5.如权利要求4所述的半导体器件测试装置，其特征在于，所述测试探针和高压探针之间的间距可调，间距范围为1-100um；

采用所述探针测试读取测试芯片的电压和电流曲线；外部的高压通过所述高压探针施加到测试芯片上。

6.一种半导体器件测试装置的测试方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

（一）将圆片固定在台盘上，选定测试芯片和非测试芯片；

（二）将台盘接地；

（三）将测试探针与测试芯片正面接触，并将测试芯片接地；

（四）将高压探针与非测试芯片正面接触，并将高压通过高压探针施加于测试芯片；

（五）所述测试探针读取测试芯片的电压和电流曲线。