[发明专利]一种多晶硅生产中吸附塔再生过程排放尾气的净化回收方法

权利要求书

1.一种多晶硅生产中吸附塔再生过程排放尾气的净化回收方法，其特征在于包括以下步骤：

A、压缩冷凝：将再生过程中的排放尾气由界外引入，经加压至1.6MPa、冷凝、气液分离，将其中的氯硅烷以液体的方式去除；

B、变温吸附：将压缩冷凝处理后的气体预热至常温并送往活性炭吸附床进行变温吸附，脱除气体中的少量氯硅烷气体；

C、精脱氯：将变温吸附处理后的气体经过精脱氯吸附床脱除气体中少量的HCL气体；

D、变压吸附：将精脱氯处理后的气体经过分子筛和活性碳为主的吸附床进行变压吸附，脱除N₂、CH₄等其他杂质气体，得到高纯度的H₂，一部分H₂用于自身床层的解吸，大部分做为产品气供用气单元，解吸气返回变温吸附做为活性炭吸附床的再生气排废。

2.如权利要求1所述的一种多晶硅尾气的净化方法，其特征在于：

所述的压缩冷凝：采用多级往复式活塞压缩机对尾气加压，输送，具备主动吹扫填料，氮气保护功能；

所述的变温吸附：吸附床为3～9个活性炭吸附床，2～3个吸附床同时吸附，变温吸附在吸附床内周期性循环进行，压力为0.01～2.1Mpa、常温下吸附、升温至50～150℃，再生温度为50～150℃；

所述的精脱氯吸附床层内吸附剂以活性炭为载体，负载有Cu的化合物；

所述变压吸附吸附床为4～12个分子筛吸附床，变压吸附在吸附床内周期性循环进行，并能将故障吸附床切出运行的系统；

3.如权利要求1所述的一种多晶硅尾气的净化方法，其特征在于：再生过程中的排放尾气主要含有：氢气、氮气、甲烷、三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅、氯化氢气体。

4.如权利要求1或权利2所述的一种多晶硅尾气中再生氢气的净化方法，其特征在于：变温吸附中吸附床的再生气为变压吸附中吸附床的解吸气。