[发明专利]一种低温干燥法制备多孔氮化硅—二氧化硅透波材料的方法无效

专利信息
申请号: 201310054853.9 申请日: 2013-02-21
公开(公告)号: CN103121846A 公开(公告)日: 2013-05-29
发明(设计)人: 李向明;朱德兰;吴普特 申请(专利权)人: 西北农林科技大学
主分类号: C04B35/584 分类号: C04B35/584;C04B35/622
代理公司: 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 代理人: 李郑建
地址: 712100 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 低温干燥 法制 多孔 氮化 二氧化硅 材料 方法
【权利要求书】:

1.一种低温干燥法制备多孔氮化硅—二氧化硅透波材料的方法,其特征在于包括下述步骤:

(a)浆料制备

将粒径为0.6~1.0微米的氮化硅粉倒入球磨罐中,其中,每100克氮化硅粉,倒入40~60毫升的纯净水,并加入15~25颗直径为8~12毫米的氧化铝球,然后在3℃~5℃温度下,球磨0.5~2小时制成浆料;

(b)陶瓷坯体低温干燥成型

在3℃~5℃温度下,将浆料倒入具有所需形状的模具中,然后将模具放入密闭的容器中,抽真空至0.2kPa~0.5kPa,保持该状态24~36小时;

(c)陶瓷坯体烧结

调节容器的恒压阀,让容器泄压,泄压速度控制在每分钟20kPa~50kPa,泄压完毕后将陶瓷坯体取出,放入氧化烧结炉中,在1200℃~1350℃温度下烧结1~5小时,即可得到多孔氮化硅-二氧化硅透波材料。

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