[发明专利]半导体封装制造过程及其结构

权利要求书

1.一种半导体封装制造过程，其特征在于其至少包含：

提供第一基板，该第一基板具有第一表面及第一金属凸块，该第一金属凸块形成于该第一表面上，该第一金属凸块具有底部及对接部，该底部位于该对接部与该第一基板之间，该对接部具有第一软化点；

提供第二基板，该第二基板具有第二表面及第二金属凸块，该第二金属凸块形成于该第二表面上，该第二金属凸块具有第二软化点，且该第一金属凸块的该第一软化点小于该第二金属凸块的该第二软化点，该第二金属凸块具有顶面及侧壁；

进行加热步骤，以使该第一金属凸块的该对接部呈软化状态；以及

压合该第一基板与该第二基板，该第一表面朝向该第二表面，以该第二金属凸块嵌入呈该软化状态的第一金属凸块的呈该软化状态的对接部，以使呈该软化状态的对接部受压延伸包覆该第二金属凸块的该顶面及该侧壁，呈该软化状态的第一金属凸块的呈该软化状态的底部则位于该第二金属凸块与该第一基板之间。

2.根据权利要求1所述的半导体封装制造过程，其特征在于其中该第一基板另具有接合层，该接合层是位于呈该软化状态的第一金属凸块的呈该软化状态的底部与该第一基板之间。

3.根据权利要求2所述的半导体封装制造过程，其特征在于其中该第一基板另具有间隔层，该间隔层是位于呈该软化状态的第一金属凸块的呈该软化状态的底部与该接合层之间。

4.根据权利要求1所述的半导体封装制造过程，其特征在于其中该第二金属凸块包括有衬底层及外罩层，该外罩层覆盖该衬底层。

5.一种半导体封装结构，其特征在于其至少包括：

第一基板，其具有第一表面及呈软化状态的第一金属凸块，呈该软化状态的第一金属凸块形成于该第一表面上，呈该软化状态的第一金属凸块具有呈软化状态的底部及呈软化状态的对接部，呈该软化状态的底部位于呈该软化状态的对接部与该第一基板之间，呈该软化状态的对接部具有第一软化点；以及

第二基板，其具有第二表面及第二金属凸块，该第二表面朝向该第一表面，且该第二金属凸块形成于该第二表面上，该第二金属凸块具有顶面及侧壁，且该第二金属凸块具有第二软化点，呈该软化状态的对接部的该第一软化点小于该第二金属凸块的该第二软化点，其中该第二金属凸块嵌入呈该软化状态的第一金属凸块的呈该软化状态的对接部，以使呈该软化状态的对接部受压延伸包覆于该第二金属凸块的该顶面及该侧壁，呈该软化状态的第一金属凸块的呈该软化状态的底部则位于该第二金属凸块与该第一基板之间。

6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于其中该第二金属凸块包括有衬底层及外罩层，该外罩层覆盖该衬底层。

7.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于其中该第一基板另具有接合层，该接合层是位于呈该软化状态的第一金属凸块的呈该软化状态的底部与该第一基板之间。

8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于其中该第一基板另具有间隔层，该间隔层是位于呈该软化状态的第一金属凸块的呈该软化状态的底部与该接合层之间。

9.一种半导体封装制造过程，其特征在于其至少包含：

提供第一基板，该第一基板具有第一表面及第一金属凸块，该第一金属凸块形成于该第一表面上，该第一金属凸块具有底部及对接部，该底部位于该对接部与该第一基板之间；

提供第二基板，该第二基板具有第二表面及第二金属凸块，该第二金属凸块形成于该第二表面上，该第二金属凸块具有顶面及侧壁；

进行加热步骤，以使该第一金属凸块的该对接部呈软化状态；以及

压合该第一基板与该第二基板，该第一表面朝向该第二表面，以该第二金属凸块嵌入呈该软化状态的第一金属凸块的呈该软化状态的对接部，以使呈该软化状态的对接部受压延伸包覆该第二金属凸块的该顶面及该侧壁，呈该软化状态的第一金属凸块的呈该软化状态的底部则位于该第二金属凸块与该第一基板之间。

10.一种半导体封装结构，其特征在于其至少包括：

第一基板，其具有第一表面及呈软化状态的第一金属凸块，呈该软化状态的第一金属凸块形成于该第一表面上，呈该软化状态的第一金属凸块具有呈软化状态的底部及呈软化状态的对接部，呈该软化状态的底部位于呈该软化状态的对接部与该第一基板之间；以及

第二基板，其具有第二表面及第二金属凸块，该第二表面朝向该第一表面，且该第二金属凸块形成于该第二表面上，该第二金属凸块具有顶面及侧壁，其中该第二金属凸块嵌入呈该软化状态的第一金属凸块的呈该软化状态的对接部，以使呈该软化状态的对接部受压延伸包覆于该第二金属凸块的该顶面及该侧壁，呈该软化状态的第一金属凸块的呈该软化状态的底部则位于该第二金属凸块与该第一基板之间。