[发明专利]发光器件、发光器件封装及包括发光器件封装的照明系统

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第一半导体层，

与所述第一半导体层相邻的有源层，

与所述有源层相邻的第二半导体层，所述第一半导体层为第一导电型，所述第二半导体层为第二导电型；和

与所述第一半导体层相邻的第三半导体层，所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层和所述第三半导体层形成在第一方向上，所述第三半导体层在第二方向上具有平坦表面并且面向所述第一半导体层，

其中所述第三半导体层具有至少一个倾斜的侧表面，并且所述第三半导体层的所述至少一个侧表面的倾角在所述第一方向和所述第二方向之间，所述第一半导体层、所述有源层或所述第二半导体层中的至少其一具有倾角大于所述第三半导体层的所述至少一个侧表面的倾角的侧表面，并且所述第一方向和所述第二方向相互垂直，

其中所述第三半导体层包括第一导电型第一半导体层，并且所述第一半导体层包括第一导电型第二半导体层。

2.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电型第一半导体层具有与所述第一导电型第二半导体层、所述有源层和所述第二导电型半导体层不同的结晶方向。

3.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第三半导体层是掺杂的半导体层，

并且其中所述第三半导体层具有与所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层不同的结晶方向。

4.如权利要求1所述的发光器件，其中所述倾角为55°～89°。

5.如权利要求1所述的发光器件，其中所述至少一个侧表面是均匀的表面或不均匀的表面。

6.如权利要求1所述的发光器件，其中所述掺杂的半导体层具有掺杂浓度为1×10¹⁵～5×10¹⁵cm^-3或更低的轻度掺杂的半导体层。

7.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第三半导体层具有比所述第一半导体层更大的宽度。

8.如权利要求1所述的发光器件，其中在所述第三半导体层中形成凹陷，并且在所述凹陷中提供第一电极。

9.如权利要求8所述的发光器件，其中所述凹陷延伸到所述第一半导体层中。

10.如权利要求8所述的发光器件，其中所述凹陷的高度大于所述第一电极的厚度。

11.如权利要求1所述的发光器件，包括与所述第二半导体层相邻的第二电极。

12.如权利要求11所述的发光器件，其中所述第二电极包括欧姆层、反射层和连接层中的至少其一。

13.如权利要求12所述的发光器件，其中所述第二电极由ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga ZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、IrO_x、RuO_x、RuO_x/ITO、Ni/IrO_x/Au和Ni/IrO_x/Au/ITO中的至少一种形成。