[发明专利]供应清洁气体至工艺腔室的方法和系统

权利要求书

1.一种工艺腔室，包含：

远程等离子源；

工艺腔室，具有至少两个工艺区域，各工艺区域包含：

基材支撑组件，设置在所述工艺区域中；

气体散布系统，配置以提供气体到所述基材支撑组件上方的所述工艺区域内；

气体通道，配置以提供气体到所述基材支撑组件下方的所述工艺区域内；

第一气体导管，配置以将清洁试剂从所述远程等离子源经由所述气体散布组件流入各所述工艺区域；以及

第二气体导管，配置以将来自所述第一气体导管的所述清洁试剂的一部分转向到各所述工艺区域的所述气体通道；以及

阀，所述阀控制所述第一气体导管与所述第二气体导管间的流量，所述阀包括：

可移动的翼片，该可移动的翼片具有阻流板；

至少一个磁铁，设置在所述翼片中；以及

耦接机构，能操作以将所述翼片在第一位置与第二位置之间旋转，在所述第一位置时所述阻流板阻隔流经所述主体的流动，在所述第二位置时所述阻流板允许流经所述主体的流动。

2.如权利要求1所述的工艺腔室，其中所述耦接机构是配置以通过磁性交互作用来旋转所述翼片。

3.一种基材处理系统，包含：

负载闭锁腔室；

传送腔室，耦接到所述负载闭锁腔室；

远程等离子源；

工艺腔室，耦接到所述传送腔室，其中所述工艺腔室包含：

腔室主体，具有至少一个第一工艺区域；

第一基材支撑组件，设置在所述第一工艺区域中；

第一气体散布组件，耦接到所述远程等离子源，并且所述第一气体散布组件是配置以从所述远程等离子源由所述基材支撑组件上方提供气体到所述第一工艺区域内；

气体通道，耦接到所述远程等离子源，并且所述气体通道是配置以从所述远程等离子源由所述基材支撑组件下方提供气体到所述第一工艺区域内；以及

阀，具有入口与至少一个出口，所述入口耦接到所述远程等离子源，所述至少一个出口耦接到所述第一气体通道和所述第二气体通道，其中所述阀包含：

可移动的翼片，该可移动的翼片具有阻流板；以及

耦接机构，能操作以将所述翼片在第一位置与第二位置之间旋转，在所述第一位置时所述阻流板能阻隔流经所述阀的流动，在所述第二位置时所述阻流板能允许气体通过所述阀。

4.如权利要求3所述的基材处理系统，其中所述腔室主体进一步包含：

第二工艺区域；

第二基材支撑组件，设置在所述第二工艺区域中；

第二气体散布组件，耦接到所述远程等离子源，并且所述第二气体散布组件是配置以从所述远程等离子源由所述基材支撑组件上方提供气体到所述第二工艺区域内；以及

第二气体通道，耦接到所述远程等离子源，并且所述第二气体通道是配置以从所述远程等离子源由所述基材支撑组件下方提供气体到所述第二工艺区域内。

5.如权利要求4所述的基材处理系统，其中所述第一气体通道与所述第二气体通道是被定位用以产生流到内部容积的实质向内气流。

6.如权利要求3所述的基材处理系统，其中所述耦接机构是配置以通过磁性交互作用来旋转所述翼片。

7.一种用以供应等离子到工艺腔室的方法，所述方法包含：

提供远程等离子源；

使第一体积的清洁试剂从所述远程等离子源经由所述工艺腔室的顶部流入所述工艺腔室的内部容积中；以及

使用一阀，将经由所述工艺腔室的顶部所提供的清洁试剂的一部分转向到位于基材支撑组件下方的端口，使第二体积的清洁试剂从所述端口流入所述内部容积，所述阀连接到介于所述远程等离子源和位于所述基材支撑组件下方的所述端口之间的流量通路，其中所述阀包括：

可移动的翼片，该可移动的翼片具有阻流板；

至少一个磁铁，设置在所述翼片中；以及

耦接机构，能操作以将所述翼片在第一位置与第二位置之间旋转，在所述第一位置时所述阻流板阻隔流经所述主体的流动，在所述第二位置时所述阻流板允许流经所述主体的流动。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述第二体积的清洁试剂是由所述远程等离子源来提供。