[发明专利]平面化的三维磁感测芯片

权利要求书

1.一种平面化的三维磁感测芯片，其特征在于，包含：

一电路芯片基板；

一第一磁传感器，设置于该电路芯片基板的上表面；

一第二磁传感器，设置于该电路芯片基板的上表面，与该第一磁传感器共同量测一磁通量在一第一方向以及一第三方向的分量；

一第三磁传感器，设置于该电路芯片基板的上表面，用以量测该磁通量在一第二方向的分量，其中该第二方向与该第一方向在一平面上相互垂直，而该第三方向与该第一方向与该第二方向垂直；以及

一磁束偏折集中结构，设置于该电路芯片基板的上表面，设置于该第一磁传感器及该第二磁传感器之间，将该磁通量在该第三方向的分量集中，并偏折至该第一方向，而藉由该第一磁传感器及该第二磁传感器在该第一方向上量测到该磁通量在该第三方向的分量，

其中该第一磁传感器、该第二磁传感器、该第三磁传感器以及该磁束偏折集中结构与该电路芯片基板中的一电路电气连接，而该第一磁传感器及该第二磁传感器基于该磁束偏折集中结构对称。

2.如权利要求1所述的平面化的三维磁感测芯片，其特征在于，该磁束偏折集中结构为柱状，且为实心圆柱、角柱，以及多边形柱的其中之一。

3.如权利要求1所述的平面化的三维磁感测芯片，其特征在于，该磁束偏折集中结构为一含金属性磁性材料或是一陶瓷磁性材料，且该磁束偏折集中结构的导磁率为1~10000H/m。

4.如权利要求3所述的平面化的三维磁感测芯片，其特征在于，该含金属磁性材料为铁、钴、镍、铁钴合金、钴镍合金、铁镍合金、铁钴镍合金以及钴铁硼化合物的至少其中之一。

5.如权利要求3所述的平面化的三维磁感测芯片，其特征在于，该陶瓷磁性材料为铁氧磁体，且该陶瓷磁性材料的晶体结构为尖晶石、反尖晶石，以及钙铁矿的至少其中之一。

6.如权利要求1所述的平面化的三维磁感测芯片，其特征在于，该第一磁传感器和该第二磁传感器，若其成同向排列，则所得到的该磁通量分量相加为该该磁通量在该第一方向的分量，其所得到的该磁通量分量相减，则为该磁通量在该第三方向的分量；若其成反向排列，则该磁通量分量相减为该磁通量在该第一方向的分量，其所得到该磁通量分量相加，则为该磁通量在该第三方向的分量；而该第三磁传感器则独立量测该磁通量在该第二方向的分量。

7.如权利要求1所述的平面化的三维磁感测芯片，其特征在于，该第一磁传感器、该第二磁传感器以及该第三磁传感器，为异方性磁阻组件、巨磁阻组件，以及穿隧磁阻组件的至少其中之一，该第一磁传感器、该第二磁传感器、该第三磁传感器形成独立电桥结构再彼此电气连接，或该第一磁传感器、该第二磁传感器连接形成电桥结构后，再与独立电桥结构的该第三磁感应器连接。

8.如权利要求1所述的平面化的三维磁感测芯片，其特征在于，该第一磁传感器、该第二磁传感器，以及该第三磁传感器为分别独立制造再行组装置该电路芯片基板上。

9.如权利要求1所述的平面化的三维磁感测芯片，其特征在于，该第一磁传感器、该第二磁传感器以及该第三磁传感器直接于该电路芯片基板上以物理性或化学性沉积法与蚀刻法形成。

10.如权利要求1所述的平面化的三维磁感测芯片，其特征在于，该磁束偏折集中结构的底面与该第一磁传感器、该第二磁传感器、该第三磁传感器共平面或略高于或略低于该第一磁传感器、该第二磁传感器、该第三磁传感器的平面。

11.如权利要求1所述的平面化的三维磁感测芯片，其特征在于，该磁束偏折集中结构预先置备再行切割放置于所配置的位置。

12.如权利要求1所述的平面化的三维磁感测芯片，其特征在于，该磁束偏折集中结构物理性或化学性沉积及蚀刻在该电路芯片基板上形成。