[发明专利]一种蔡氏混沌电路的负阻等效方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种蔡氏混沌电路的负阻等效方法，属于电子及通信技术领域。 

背景技术

近年来，由于混沌电路的对初始状态和控制参数的极端敏感性以及宽频谱、类随机等复杂特性，其在通信和控制领域及很多其他领域都得到了广泛的应用，人们对混沌电路也进行了深入广泛的研究。蔡氏电路是典型的混沌信号产生电路，关于该电路的研究很多，众所周知，随着超大规模集成电路的发展，器件尺寸已进入纳米级，新兴器件取代传统器件实现电路成为发展的必然趋势，但基于单电子晶体管(SET)和金属氧化物半导体(MOS)混合结构器件SETMOS的负微分电阻NDR特性实现混沌电路的非线性函数却鲜见报道。 

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种蔡氏混沌电路的负阻等效方法。 

为了解决上述技术问题，本发明利用基于单电子晶体管(SET)和金属氧化物半导体(MOS)混合结构器件SETMOS的负微分电阻NDR特性实现混沌电路的非线性函数，对该电路进行了仿真，并对电路中各元件参数进行调整，可以产生蔡氏混沌吸引子。 

蔡氏电路是一个三维自治振荡系统，它是由四个元器件：电感L，电阻R、电容C₁和C₂，以及一个被称为蔡氏二极管的非线性电阻RN所构成的一个简单的电子电路，如图1(a)所示。它的转移特性曲线如图1(b)所示 

蔡氏电路可以由下列动态方程来描述： 

dV1dt=1RC1(V2-V1)-1C1f(V1)]]>

dV2dt=1C2I3-1RC2(V2V1)---(1)]]>

dI3dt=-1LV2]]>