[发明专利]具有垂直结构的发光二极管在审
| 申请号： | 201310055713.3 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN103151437A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 金钟旭;崔在完;曹贤敬;罗钟浩;张峻豪 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 戚传江;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 结构 发光二极管 | ||
1.一种具有垂直结构的发光二极管，包括：
支撑层；
设置在所述支撑层的表面上的第一电极，所述第一电极包括：欧姆电极和紧靠在所述欧姆电极上的反射电极；
设置在所述第一电极上的发光器件结构；
导电型半导体层，其设置在所述发光器件结构上，所述导电型半导体层的外表面在所述导电型半导体层的上表面和侧表面之间具有倾角；以及
第二电极，其位于所述导电型半导体层的所述上表面上，
其中，所述支撑层的所述表面的宽度比所述导电型半导体层的所述上表面的宽度更宽。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述倾角在35～65°的范围内。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述倾角在53～56°的范围内。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述导电型半导体层是具有10μm～100μm厚度的导电GaN层。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述发光器件结构包括：
P型半导体层；
设置在所述P型半导体层上的有源层；以及
设置在所述有源层上的N型半导体层。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，所述导电型半导体层是N型半导体层。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述发光器件结构包括：
N型半导体层；
设置在所述N型半导体层上的有源层；以及
设置在所述有源层上的P型半导体层。
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其中，所述导电型半导体层是P型半导体层。
9.根据权利要求1、5和7中任意一项所述的发光二极管，其中，所述发光器件结构包括基于氮化镓的半导体。
10.根据权利要求9所述的发光二极管，其中，所述有源层具有至少一个InGaN/GaN量子阱结构。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述支撑层是选自由以下所组成的组的一种：硅衬底、砷化镓衬底、锗衬底、以及包括铜或者钨的金属的金属衬底。
12.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述支撑层包括镍或者铜。
13.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述导电型半导体层具有截顶式倒金字塔结构。
14.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述导电型半导体层包括Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。
15.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述发光器件结构包括AlGaN和AlInGaN中的至少一个。
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