[发明专利]信号线的制作方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201310056045.6 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103151253A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 阎长江;谢海征;陈磊;徐少颖;谢振宇 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 信号线 制作方法 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
1.一种信号线的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板上依次沉积用于制作信号线的材料层、用于制作第一阻挡层的材料层和用于制作第二阻挡层的材料层；
通过构图工艺制得所述第一阻挡层和所述第二阻挡层；
通过构图工艺制得所述信号线。
2.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述方法包括：
通过干法刻蚀构图工艺，对用于制作第一阻挡层的材料层和用于制作第二阻挡层的材料层进行刻蚀，制得所述第一阻挡层和所述第二阻挡层，且在同一干法刻蚀条件下，用于制作所述第一阻挡层的材料的横向刻蚀速度大于用于制作所述第二阻挡层的材料的横向刻蚀速度。
3.如权利要求1所述方法，其特征在于，通过湿法刻蚀构图工艺，对用于制作所述信号线的材料层进行刻蚀，制得信号线。
4.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括基板、栅极和栅极绝缘层，其特征在于，所述栅极为权利要求1至3中任一所述的信号线，所述薄膜晶体管还包括第一阻挡层和第二阻挡层；
所述栅极位于所述基板的上方；
所述第一阻挡层位于所述栅极上方；
所述第二阻挡层位于所述第一阻挡层的上方、栅极绝缘层的下方。
5.如权利要求4所述薄膜晶体管，其特征在于，所述第一阻挡层的材料为氧化硅。
6.如权利要求4所述薄膜晶体管，其特征在于，所述第二阻挡层的材料为氮化硅。
7.如权利要求4至6任一所述薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极的宽度为2~2.5μm。
8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求4~7任一权项所述的薄膜晶体管。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求8所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
