[发明专利]具有可动栅极的微机械传感器和相应的制造方法

权利要求书

1.一种具有可动栅极的微机械传感器装置，其具有：

场效应晶体管，该场效应晶体管带有漏极区域（3）、源极区域（4）、具有第一掺杂类型的位于其间的沟道区域（7）和可动栅极（1），该可动栅极通过空隙（Z）与沟道区域（7）分离；

其中漏极区域（3）、源极区域（4）和沟道区域（7）设置在衬底（2）中；以及

其中至少在沟道区域（7）的纵向侧（S1，S2）上在衬底（2）中设置防护区域（8；8a，8b），其具有第二掺杂类型，该第二掺杂类型与第一掺杂类型相同并且具有比第一掺杂类型高的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的微机械传感器装置，其中防护区域（8）环状地围绕在衬底（2）中的漏极区域（3）、源极区域（4）和沟道区域（7）延伸。

3.根据权利要求1或2所述的微机械传感器装置，其中该沟道区域（7）被至少一个栅极绝缘层（5）覆盖。

4.根据权利要求1，2或3所述的微机械传感器装置，其中该可动栅极（7）由多晶硅制造。

5.根据前述权利要求之一所述的微机械传感器装置，其中防护区域（8；8a，8b）具有外部的电压端子（V）。

6.一种用于制造具有可动栅极的微机械传感器装置的方法，具有步骤：

形成场效应晶体管，该场效应晶体管带有漏极区域（3）、源极区域（4）、具有第一掺杂类型的位于其间的沟道区域（7）和可动栅极（1），该可动栅极通过空隙（Z）与沟道区域（7）分离，其中漏极区域（3）、源极区域（4）和沟道区域（7）设置在衬底（2）中；以及

其中至少在沟道区域（7）的纵向侧（S1，S2）上在衬底（2）中设置防护区域（8；8a，8b），其具有第二掺杂类型，该第二掺杂类型与第一掺杂类型相同并且具有较高的掺杂浓度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中防护区域（8；8a，8b）通过扩散过程或注入过程在使用相应掩模的情况下来制造。