[发明专利]具有改善的鲁棒性的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体主体，包括： 

-限定垂直方向的第一表面;

-具有第一最大掺杂浓度且被布置在第一表面下面的第一导电类型的漂移区域；和

-具有低于第一最大掺杂浓度的第二最大掺杂浓度的第一导电类型的半导体层，该半导体层邻接漂移区域并且被布置在漂移区域下面，

所述半导体主体在垂直横截面中还包括：

-邻接漂移区域的第二导电类型的第一主体区域，邻接第一主体区域且被布置在第一表面与第一主体区域之间的第一导电类型的源极区域；

-垂直沟槽，从第一表面延伸到至少半导体层，邻接源极区域、第一主体区域和漂移区域，并且包括绝缘栅电极; 

-第一接触体，在第一表面具有第一最小宽度并且与源极区域和第一主体区域低欧姆接触； 

-第二导电类型的第二主体区域，其仅与漂移区域形成pn结；以及

-第二接触体，与第二主体区域低欧姆接触并且在第一表面具有大于第一最小宽度的第二最小宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中第一接触体被形成为在第一表面下面具有基本上匹配第一最小宽度的最小宽度的浅沟槽接触体。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中第二接触体被形成为在第一表面下面具有基本上匹配第二最小宽度的最小宽度的浅沟槽接触体。

4. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中第二主体区域在垂直横截面中邻接垂直沟槽，该半导体器件在垂直横截面中还包括另外的垂直沟槽，该另外的垂直沟槽从第一表面延伸到至少半导体层，邻接源极区域、第一主体区域和漂移区域，并且包括绝缘栅电极。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中垂直沟槽和另外的垂直沟槽中的至少一个包括绝缘场电极。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中半导体主体还包括有源区和外围区，外围区包括圆周沟槽，圆周沟槽从第一表面延伸到至少半导体层并且当从上方看时在垂直横截面中包括围绕有源区的绝缘场电极，圆周沟槽邻接第二主体区域，并且第一主体区域被布置在有源区中。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，在外围区还包括第二导电类型的半导体区域和邻近沟槽场电极，该邻近沟槽场电极与半导体区域低欧姆接触，并且在垂直横截面中通过介电区域与半导体主体分离。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中第二最小宽度是第一最小宽度的至少1.2倍。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中第二主体区域延伸到第一表面。

10.一种MOSFET，包括：

半导体主体，包括： 

-限定垂直方向的第一表面；

-主体区域；和

-与主体区域形成pn结的漂移区域，

半导体主体在垂直横截面中还包括：

-有源区，该有源区包括：源极区域，延伸到第一表面并且与主体区域的第一部分形成另外的pn结；第一垂直沟槽，从第一表面延伸到至少漂移区域中，邻接主体区域的第一部分并且包括绝缘栅电极；以及第一接触体，与源极区域和主体区域的第一部分低欧姆接触，第一接触体在第一表面具有第一最小宽度; 

-外围区，该外围区包括：延伸到第一表面的主体区域的第二部分；第二垂直沟槽，从第一表面延伸到漂移区域中，邻接主体区域的第二部分并且包括绝缘场电极；和第二接触体，与主体区域的第二部分低欧姆接触并且在第一表面具有大于第一最小宽度的第二最小宽度；和

-第三垂直沟槽，从第一表面延伸到漂移区域中，邻接主体区域的第一部分和第二部分，并且包括绝缘栅电极。

11.根据权利要求10所述的MOSFET，其中第一接触体被形成为在第一表面下面且在有源区中具有基本上匹配第一最小宽度的最小宽度的浅沟槽接触体。

12.根据权利要求10所述的MOSFET，其中第二接触体被形成为在第一表面下面具有基本上匹配第二最小宽度的最小宽度的浅沟槽接触体。

13.根据权利要求10所述的MOSFET，其中外围区还包括至少一个额外的边缘终止结构。