[发明专利]发光二极管芯片制作方法

权利要求书

1.发光二极管芯片制作方法，包括步骤：

在衬底上外延生长氮化镓基发光外延层；

在氮化镓基发光外延层上外延生长氧化锌层；

在氧化锌层上沉积保护层；

采用激光正面划片定义切割道，激光烧蚀切割道上的保护层、氧化锌层、氮化镓基发光外延层和部分衬底；

去除激光烧蚀残留物；

去除所述保护层和氧化锌层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片制作方法，其中外延生长氧化锌层的方式包括金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）和物理气相沉积（PVD）。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片制作方法，其中外延生长氧化锌层的温度介于500~1000℃。

4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片制作方法，其中外延生长氧化锌层的温度为700℃。

5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片制作方法，其中外延生长氧化锌层的厚度为0.1~10微米。

6.根据权处要求5所述的发光二极管芯片制作方法，其中外延生长氧化锌层的厚度为1微米。

7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片制作方法，其中保护层的材料为耐酸性材料。

8.根据权利要求7所述的发光二极管芯片制作方法，其中保护层的材料选自二氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化铝、氧化镓、氧化铟、氧化锡及其组合。