[发明专利]紫外发光二极管结构

权利要求书

1.一种紫外发光二极管结构，包括：

一基底；

一N型AlGaN层，其制作在基底上，该N型AlGaN层上面的一侧有一台面；

一AlGaN量子阱，其制作在N型AlGaN层没有台面一侧的上面；

一P型AlGaN层，其制作在AlGaN量子阱上；

一P型GaN层，其制作在P型AlGaN层上；

一顶电极，其制作在P型GaN层上；

一底电极，其制作在N型AlGaN层一侧的台面上；

一金属层，其制作在基底的背面。

2.根据权利要求1所述的紫外发光二极管结构，其中该基底为一缓冲层。

3.根据权利要求1所述的紫外发光二极管结构，其中该基底包括一蓝宝石衬底和制作在其上制作的AlN缓冲层。

4.根据权利要求1所述的紫外发光二极管结构，其中所述的金属层为金属条或金属颗粒。

5.根据权利要求4所述的紫外发光二极管结构，其中所述的金属层制作在P型AlGaN层内。

6.根据权利要求4所述的紫外发光二极管结构，其中所述的金属层制作在N型AlGaN层内。

7.一种紫外发光二极管结构，包括：

一基底，该基底分为三段；

一N型AlGaN层，其制作在分为三段的基底上，该N型AlGaN层的下面形成有两个凹槽，该N型AlGaN层上面的一侧有一台面；

一AlGaN量子阱，其制作在N型AlGaN层没有台面一侧的上面；

一P型AlGaN层，其制作在AlGaN量子阱上；

一P型GaN层，其制作在P型AlGaN层上；

一顶电极，其制作在P型GaN层上；

一底电极，其制作在N型AlGaN层一侧的台面上；

一金属层，其制作在N型AlGaN层的下面形成的两个凹槽内N型AlGaN层的背面。

8.根据权利要求7所述的紫外发光二极管结构，其中该基底为一缓冲层。

9.根据权利要求7所述的紫外发光二极管结构，其中该基底包括一蓝宝石衬底和制作在其上的AlN缓冲层。

10.根据权利要求7所述的紫外发光二极管结构，其中所述的金属层为金属条或金属颗粒。