[发明专利]一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水及其制备方法

权利要求书

1.一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）提供含有有效氯或者可以产生有效氯的有效氯提供单元；

（2）提供pH值调节单元；

（3）将所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合，得到强氧化性溶液，所述强氧化性溶液的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其2-羟基丁二酸、2-羟基丁二酸氢根离子、2-羟基丁二酸根离子的含量之和不高于1.8mol/L。

2.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，所述强氧化性溶液的pH值在4.05-6.05间，其氧化还原电位为600-1150mV，其有效氯含量为3-1000mg/L，其2-羟基丁二酸、2-羟基丁二酸氢根离子、2-羟基丁二酸根离子的含量之和为10^-10-0.1mol/L。

3.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，在步骤（1）中还包括：对所述有效氯提供单元进行降低2-羟基丁二酸、2-羟基丁二酸氢根离子、2-羟基丁二酸根离子的含量之和的预处理。

4.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，在步骤（2）中还包括：对所述pH值调节单元进行降低2-羟基丁二酸、2-羟基丁二酸氢根离子、2-羟基丁二酸根离子的含量之和的预处理。

5.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，在步骤（3）中还包括：对所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合后的混合液进行降低2-羟基丁二酸、2-羟基丁二酸氢根离子、2-羟基丁二酸根离子的含量之和的后处理。

6.如权利要求3或4或5所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，所述降低2-羟基丁二酸、2-羟基丁二酸氢根离子、2-羟基丁二酸根离子的含量之和的处理方法可选自加入化学失活剂、膜分离法、电化学法、层析法、吸附法或离子交换法中的一种或者几种。

7.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，所述pH值调节单元包含酸性物质、碱性物质或酸性物质与碱性物质的组合。

8.一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水，其特征在于，包括使用前独立分装的pH值调节单元和有效氯提供单元；所述有效氯提供单元为含有有效氯或者可以产生有效氯的制剂，所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合后得到强氧化性溶液，所述强氧化性溶液的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其2-羟基丁二酸、2-羟基丁二酸氢根离子、2-羟基丁二酸根离子的含量之和不高于1.8mol/L。

9.如权利要求8所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水，其特征在于，所述强氧化性溶液的pH值在4.05-6.05间，其氧化还原电位为600-1150mV，其有效氯含量为3-1000mg/L，其2-羟基丁二酸、2-羟基丁二酸氢根离子、2-羟基丁二酸根离子的含量之和为10^-10-0.1mol/L。

10.一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水，其特征在于，所述杀菌水的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其2-羟基丁二酸、2-羟基丁二酸氢根离子、2-羟基丁二酸根离子的含量之和不高于1.8mol/L。

11.如权利要求10所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌水，其特征在于，所述杀菌水的pH值在4.05-6.05间，其氧化还原电位为600-1150mV，其有效氯含量为3-1000mg/L，其2-羟基丁二酸、2-羟基丁二酸氢根离子、2-羟基丁二酸根离子的含量之和为10^-10-0.1mol/L。