[发明专利]内存回收方法及装置

说明书

技术领域

本发明实施例涉及计算机技术领域，尤其涉及内存回收方法及装置。

背景技术

构成内存单元的内存器件通常包括动态随机访问存储器(英文全称Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)和非易失性存储器(英文全称Non-Volatile Memory，简称NVM)，DRAM可以承受的写次数高，但可集成度低，可集成的存储空间有限，NVM的集成度更高，可以集成较大内存容量的内存单元，但可以承受的写次数相对较低，随着人们对存储设备的内存容量的要求越来越高，期望存储设备的内存容量越来越大，越来越稳定可靠，因此，出现了由DRAM和NVM构成的混合结构的内存单元，由DRAM和NVM混合可以提高存储设备的存储容量。

现有技术中，DRAM和NVM混合结构的存储设备的操作系统在执行页面回收操作时，采用最近最少使用算法(英文全称Least Recently Used，简称LRU)从非活动的NVM页面链表的头部选择相应数量的页面进行回收，这种方法可能会导致被写次数较多的NVM页面先被回收利用，致使被写次数多的NVM被磨损严重，影响整个存储单元的稳定性和可靠性。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种内存回收方法，旨在解决NVM的内存页面磨损不均衡的问题。

第一方面，本发明提供一种内存回收方法，包括：

接收内存回收请求消息，所述内存回收请求消息中包含回收标识，所述回收标识用于表示请求回收的内存页面数量；

根据所述回收标识，按照非易失性存储器NVM非活动内存页面被写次数从小到大的顺序回收NVM非活动页面。

结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述根据所述回收标识，按照非易失性存储器NVM非活动内存页面被写次数从小到大的顺序回收NVM非活动页面之前，还包括：

确定所述NVM非活动内存页面的被写次数；

根据所述NVM非活动内存页面的被写次数，将所述NVM非活动内存页面存储至非活动内存页面链表中的相应段中，所述非活动内存页面链表中包括多个段，每个段用于存储设定被写次数范围的NVM非活动内存页面。

结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述非活动内存页面链表中包括的多个段按照对应的设定被写次数范围从小到大的顺序在所述非活动内存页面链表中排列。

结合第一方面的第一种可能的实现方式或第一方面的第二种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述根据所述回收标识，按照非易失性存储器NVM非活动内存页面被写次数从小到大的顺序回收NVM非活动页面，包括：

在所述非活动内存页面链表中按照设定被写次数范围从小到大的顺序，回收一个或多个段中的与所述回收标识请求回收的内存页面数量匹配的NVM非活动内存页面。

结合第一方面，在第一方面的第四种可能的实现方式中，所述根据所述回收标识，按照非易失性存储器NVM非活动内存页面被写次数从小到大的顺序回收NVM非活动页面之前，还包括：

确定所述NVM非活动内存页面的被写次数；

将所述NVM非活动内存页面存储至非活动内存页面链表中的最后一个页面组中，所述页面列表中包括多个页面组，每个页面组中包括按照被写次数从小到大顺序排列的设定个数的NVM非活动内存页面。

结合第一方面的第四种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式中，所述非活动内存页面链表中包括的多个页面组按照建立时间的先后页序在所述非活动内存页面链表中排列。

结合第一方面的第四种可能的实现方式或第一方面的第五种可能的实现方式中，在第一方面的第六种可能的实现方式中，所述根据所述回收标识，按照非易失性存储器NVM非活动内存页面被写次数从小到大的顺序回收NVM非活动页面，包括：

在所述非活动内存页面链表中按照建立时间的先后顺序，回收一个或多个页面组中的与所述回收标识请求回收的内存页面数量匹配的NVM非活动内存页面。

第二方面，本发明实施例提供一种内存回收装置，包括：

接收模块，用于接收内存回收请求消息，所述内存回收请求消息中包含回收标识，所述回收标识用于表示请求回收的内存页面数量；

内存回收模块，用于根据所述回收标识，按照非易失性存储器NVM非活动内存页面被写次数从小到大的顺序回收NVM非活动页面。

结合第二方面，在第二方面的第一种可能的实现方式中，还包括：