[发明专利]高纯碳化硼陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种高纯碳化硼陶瓷的制备方法，包括以下步骤：步骤一、将碳化硼粉按与烧结助剂0-10wt%，粘结剂0.2-15 wt%，分散剂0.2-15 wt%，去离子水，采用高速搅拌或球磨混合分散，形成均匀的浆料；

步骤二、造粒或直接干燥；

步骤三、压制后烧结制备成碳化硼陶瓷，其特征在于将步骤一或/和步骤三中的碳化硼粉体或/和碳化硼陶瓷经提纯处理，具体提纯方法为一种是经不同的酸洗或碱洗或其组合，最后采用去离子水或酒精清洗；另一种是将碳化硼粉体和碳化硼陶瓷管式炉中，氢气或氯气或碘单质气氛中，在600-1600oC条件下处理，通过流动的气氛，在负压下形成易挥发的物质。

2.根据权利要求1所述的高纯碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于步骤一中酸洗时所用的酸为HCl，H₂SO₄, HNO₃或HF中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的高纯碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于步骤一中碱洗时所用的碱为NaOH或KOH。

4.根据权利要求1所述的高纯碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于步骤3中采用压力烧结或常压烧结。

5.根据权利要求1-3中任一项权利要求所述的高纯碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于步骤一中所用的粘结剂为聚乙烯醇。

6.根据权利要求1-3中任一项权利要求所述的高纯碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于步骤一中所用的烧结助剂为碳。

7.根据权利要求1-3中任一项权利要求所述的高纯碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于步骤一中所用的分散剂为四甲基氢氧化铵或磷酸铝。