[发明专利]一种阵列基板及面板

权利要求书

1.一种阵列基板，所述阵列基板包括位于周边区域的公共电极线和位于所述公共电极线内侧的被保护结构，电连接于所述被保护结构和所述公共电极线之间的短路棒，用于释放所述被保护结构上的静电，其特征在于，所述被保护结构和所述公共电极线之间还电连接有第二静电保护电路，所述第二静电保护电路在所述短路棒被切断后通过所述公共电极线释放静电。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述短路棒设置在所述公共电极线远离所述阵列基板中心区域的一侧，所述被保护结构与所述公共电极线交叠，所述公共电极线在所述交叠区域包括至少一个镂空区域，所述第二静电保护电路包括至少一个由所述被保护结构和所述公共电极线交叠形成的电容。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述镂空区域位于所述公共电极线远离所述阵列基板中心区域的一侧，或者位于所述公共电极线的中心区域，或者位于所述公共电极线的两侧边缘。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述短路棒设置在所述公共电极线靠近所述阵列基板中心区域的一侧，所述公共电极线包含至少一个第一分支，所述第二静电保护电路包括由所述第一分支与所述被保护结构交叠形成的电容。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述被保护结构包含至少一个第二分支，所述第二静电保护电路包括由所述第一分支和所述被保护结构的第二分支交叠形成的电容。

6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述被保护结构包括一个镂空区域，被镂空的那部分被保护结构区段被所述镂空区域分为第一部分和第二部分，所述第一分支与所述第二部分交叠且与所述第一部分不交叠，所述第二静电保护电路包括由所述第一部分与所述第一分支形成的尖端放电结构。

7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述短路棒设置在所述公共电极线靠近所述阵列基板中心区域的一侧，所述第二静电保护电路包括至少一个TFT，所述TFT的源极或者漏极电连接所述被保护结构，所述TFT的漏极或者源极电连接所述公共电极线，所述TFT的栅极接低电平。

8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述短路棒设置在所述公共电极线靠近所述阵列基板中心区域的一侧，所述第二静电保护电路包括第一TFT、第二TFT、第三TFT、以及第四TFT，其中：

所述第一TFT的源极与第二TFT的源极相连，并连接至第二TFT的栅极；

所述第一TFT的漏极与第二TFT的漏极相连，并连接至第一TFT的栅极；

所述第三TFT的源极与第四TFT的源极相连，并连接至第三TFT的栅极；

所述第三TFT的漏极与第四TFT的漏极相连，并连接至第四TFT的栅极；

第二TFT的栅极与第三TFT的栅极相连，

第一TFT的栅极连接至所述被保护结构，第四TFT的栅极连接至所述公共电极线。

9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述短路棒设置在所述公共电极线靠近所述阵列基板中心区域的一侧，所述第二静电保护电路包括一个虚拟像素单元，所述虚拟像素单元包括一个虚拟像素TFT、一个虚拟像素二极管，所述虚拟像素TFT的源极或漏极电连接所述被保护结构，所述虚拟像素TFT的漏极或源极电连接所述虚拟像素二极管的负极，所述虚拟像素TFT的栅极连接低电平；所述虚拟像素二极管的正极连接至一条虚拟像素公共线，所述虚拟像素公共线电连接至所述周边区域的公共电极线，所述公共电极线连接低电平，所述第二静电保护电路在所述短路棒被切断后通过所述虚拟像素公共线或者所述虚拟像素TFT的栅极释放静电。

10.一种面板，包括如权利要求1-9中任一权利要求所述的阵列基板。