[发明专利]二氧化硅溶液制备方法、研磨液及玻璃基板的制造方法有效
申请号: | 201310058694.X | 申请日: | 2013-02-25 |
公开(公告)号: | CN103396763A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 志田德仁;木村宏;玉田稔 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | C09K3/14 | 分类号: | C09K3/14;G11B5/84 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 王海川;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二氧化硅 溶液 制备 方法 研磨 玻璃 制造 | ||
1.一种二氧化硅溶液制备方法,从含有一次粒径为1~80nm的二氧化硅粒子的二氧化硅溶液中除去异物,其特征在于,
对离心加速度G、异物的沉降距离与沉降时间之比(h/t)和所述二氧化硅溶液的粘度η进行控制,以使由下式(1)表示的、要除去的异物的粒径Dp为0.1×1-41×10-4cm,
Dp=[18h·η/{(ρp-ρf)G·t}]1/2…(1)
其中,式(1)中,Dp为异物的粒径(cm),h为异物的沉降距离(cm),η为溶液在处理温度下的粘度(g/cm·s),ρp为异物的密度(g/cm3),ρf为溶剂的密度(g/cm3),G为离心加速度(cm/s2),t为异物的沉降时间(s)。
2.如权利要求1所述的二氧化硅溶液制备方法,其中,所述沉降距离与沉降时间之比(h/t)为0.003~0.50(cm/s)。
3.如权利要求1或2所述的二氧化硅溶液制备方法,其中,所述离心加速度G为28000~200000(m/s2)。
4.如权利要求1~3中任一项所述的二氧化硅溶液制备方法,其中,所述溶液的粘度η为0.1~0.5(g/cm·s)。
5.如权利要求1~4中任一项所述的二氧化硅溶液制备方法,其中,所述溶液的pH为1~7。
6.一种研磨液,在磁记录介质用玻璃基板的主平面的研磨中使用,其中,含有通过权利要求1~5中任一项所述的二氧化硅溶液制备方法制备的二氧化硅溶液。
7.一种磁记录介质用玻璃基板的制造方法,其中,具有使用权利要求6所述的研磨液对磁记录介质用玻璃基板的主平面进行研磨的工序。
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