[发明专利]一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，具有以下的步骤：

1）在绝缘基板（101）上沉积第一导电层（102），在所述第一导电层（102）上涂布光刻胶；利用第一道掩膜板，通过曝光、刻蚀以及剥离形成栅电极（102a）；

2）在所述栅电极（102a）上沉积绝缘层（103）；

3）制备有源层所需溶液，根据所要制备氧化物，选取合适的原料、溶剂以及稳定剂；在所述绝缘层（103）上采用溶液薄膜制备法制备有源层（104）；

4）采用紫外LED灯（106）对有源层（104）进行光照处理，在紫外光子的诱发下，形成氧化物及伴随产物；伴随产物挥发则得到致密的金属氧化物薄膜，得到氧化物有源层（104a）；

5）在所述的氧化物有源层（104a）上涂布光刻胶；利用第二道掩膜板，通过曝光、显影、刻蚀以及剥离形成氧化物有源层岛（104b）；

6）在所述氧化物有源层岛（104b）上沉积第二导电层（107），在所述第二导电层（107）上涂布光刻胶，利用第三道掩膜板，通过曝光、显影、刻蚀形成源极电极（107a）和漏极电极（107b），制得金属氧化物薄膜晶体管。

2.根据权利要求1所述的一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤3）中的溶液薄膜制备法为旋涂、提拉或喷墨打印。

3.根据权利要求1所述的一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤4）中的紫外LED灯发光波长为192到365纳米，光照时间为20-120分钟。