[发明专利]激光晶化装置及用其制造薄膜晶体管阵列面板的方法

说明书

技术领域

实施例总体上涉及激光晶化装置以及利用其制造薄膜晶体管阵列面板的方法。

背景技术

诸如有机发光二极管（OLED）显示器和液晶显示器（LCD）之类的平板显示设备使用包括薄膜晶体管的基板。

具体地，低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFT）具有优良的载流子迁移率，因而其得到广泛应用。

低温多晶硅薄膜晶体管包括通过使非晶硅层结晶而形成的多晶硅层的有源层。使非晶硅层结晶的方法包括固相晶化方法、准分子激光晶化方法以及利用金属催化剂的晶化方法。

发明内容

实施例涉及激光晶化装置，该激光晶化装置包括：产生激光束的激光发生器，所述激光束指向处理目标基板；和位于所述处理目标基板上方的刀片构件，所述刀片构件被配置为在两个方向上以预定宽度切断所述激光束，其中所述激光束的被所述刀片构件切断的两个末端作为衍射光照射到所述处理目标基板。

所述刀片构件可具有其中多个刀片重叠的多层结构。

所述刀片构件的多个刀片当中的比较靠近所述处理目标基板的刀片可朝所述激光束的中心方向相对突出。

所述刀片构件可被配置为使得随着所述刀片构件的多个刀片的数量增加，所述衍射光照射到所述处理目标基板的区域相对缩小。

照射到所述处理目标基板的所述激光束可以是沿长度方向具有两个末端的激光狭缝射线。所述刀片构件可切断所述激光狭缝射线的两个末端。所述激光狭缝射线可以是准分子激光狭缝射线。

所述的激光晶化装置可进一步包括位于所述激光发生器和所述刀片构件之间的至少一个光学构件。

各实施例还涉及一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括：提供其上沉积有非晶硅薄膜的处理目标基板；使激光狭缝射线在与所述激光狭缝射线的长度方向相交的方向上扫描所述处理目标基板若干次，以照射且晶化所述非晶硅薄膜，其中所述激光狭缝射线的扫描被执行为使得沿所述激光狭缝射线的长度方向的边缘彼此部分重叠，使所述处理目标基板的、与所述激光狭缝射线的长度方向的边缘相对应的部分被照射两次，而使所述处理目标基板的剩余部分被照射一次；以及利用通过所述激光狭缝射线的一次照射而晶化的硅薄膜作为有源层来形成薄膜晶体管。

可以通过利用包括激光发生器的激光晶化装置形成所述激光狭缝射线。可以在所述处理目标基板的上方布置刀片构件，所述刀片构件沿照射所述处理目标基板的所述激光狭缝射线的长度方向切断两个末端。

所述激光狭缝射线的被所述刀片构件切断的两个末端可以作为衍射光照射到所述处理目标基板。

通过使所述激光狭缝射线的长度方向的边缘部分重叠而照射所述激光狭缝射线两次所晶化的所述硅薄膜可以是通过所述衍射光被晶化的。

所述激光狭缝射线可以是准分子激光狭缝射线。

所述刀片构件可以具有其中多个刀片重叠的多层结构。

所述刀片构件的多个刀片当中的比较靠近所述处理目标基板的刀片可以在所述激光的中心方向上相对突出。

所述方法可以进一步包括通过增加包括在所述刀片构件中的多个刀片的数量来相对缩小所述衍射光照射到所述处理目标基板的区域。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员来说将变得明显，在附图中：

图1是根据示例性实施例的激光晶化装置的透视图。

图2是图1的示意图。

图3是在图1的激光晶化装置中使用的刀片构件的正视图。

图4至图6是示出根据示例性实施例的激光晶化装置中的刀片构件对激光束进行仿形切割的视图。

图7是根据示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板的制造过程的俯视平面图。

图8是放大的由图7中的虚线表示的四边形部分的俯视平面图。

具体实施方式

现在将在下文中参照附图更为充分地描述示例实施例，然而，这些示例实施例可以以不同的形式被体现，并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。相反地，提供这些实施例是为了使本公开详尽、完整，并且将充分地向本领域技术人员传达本公开的范围。

附图是示意性的，并未按比例绘制。为了准确和方便起见，可以放大或缩小附图中的相对比例和相对比，并且比例可以是随意的，使得实施例不限于此。另外，相同的附图标记在说明书中始终指代相同的结构、元素或部件。应理解的是，当一元素被提及位于另一元素“上”时，其可以直接位于另一元素上，或者在它们之间可以存在中间元素或空间。