[发明专利]太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一表面与一第二表面，该第一表面相对于该第二表面，其中该基底具有一第一掺杂类型；

一轻掺杂区，位于该基底的该第一表面上，该轻掺杂区与该基底的该第一表面之间具有一接口，其中该轻掺杂区具有一第二掺杂类型，且该第二掺杂类型相反于该第一掺杂类型；

一半导体层，设于该轻掺杂区上方，其中该半导体层具有该第一掺杂类型；

一第一电极，位于该基底的该第一表面上，埋设于部分该半导体层与该轻掺杂区中，且该第一电极的底部切齐于该轻掺杂区与该基底的该第一表面之间的该接口；以及

一第二电极，设于该基底的该第二表面。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，另包括一重掺杂区，位于该第一电极与该半导体层、该轻掺杂区与该基底之间，该重掺杂区具有该第二掺杂类型，该第一电极位于该重掺杂区上。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，另包括一掺杂区，设于该基底的该第二表面上，位于该第二电极与该基底之间。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，该掺杂区具有该第一掺杂类型。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，另包括一抗反射层，设于该半导体层的上方。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该基底的该第一表面具有一粗糙化结构。

7.一种制作太阳能电池的方法，其特征在于，包括：

提供一基板，其具有一第一表面与一第二表面，且该第一表面相对于该第二表面，其中该基板具有一第一掺杂类型；

于该基板的该第一表面内形成一轻掺杂区，其中该轻掺杂区具有一第二掺杂类型，且该第二掺杂类型相反于该第一掺杂类型，并使该轻掺杂区上形成一半导体层，其具有该第一掺杂类型；

于该半导体层中形成至少一沟槽；以及

于该基板的该第一表面形成一第一电极，以及于该基板的该第二表面形成一第二电极，该第一电极设于该沟槽中并与该轻掺杂区电性连接。

8.根据权利要求7所述的制作太阳能电池的方法，其特征在于，另包括在形成该第一电极与该第二电极之后，对该基板进行一共烧结工艺，在该共烧结工艺之后，该第一电极的底部实质上切齐于该轻掺杂区的底部。

9.根据权利要求7所述的制作太阳能电池的方法，其特征在于，另包括在该基板的该第二表面内形成一掺杂区，位于该第二电极与该基板之间，且该掺杂区具有该第一掺杂类型。

10.根据权利要求7所述的制作太阳能电池的方法，其特征在于，另包括在该基板的该第一表面内形成一重掺杂区，使该重掺杂区位于该半导体层与该轻掺杂区之中，其中该重掺杂区具有该第二掺杂类型，并且上述形成该沟槽的步骤是以激光刻槽工艺移除部份该重掺杂区而形成该沟槽。

11.根据权利要求10所述的制作太阳能电池的方法，其特征在于，上述形成该第一电极的步骤另包括在该重掺杂区内的该沟槽中形成该第一电极，且该第一电极与该重掺杂区接触并电性连接。

12.根据权利要求7所述的制作太阳能电池的方法，其特征在于，该半导体层与该轻掺杂区同时形成，其中上述形成该轻掺杂区的步骤借由一离子云植入工艺或一离子金属等离子工艺于该基板内的一预定深度形成该轻掺杂区而同时形成该半导体层于该轻掺杂区上。

13.根据权利要求7所述的制作太阳能电池的方法，其特征在于，上述形成该轻掺杂区的步骤借由一扩散工艺所完成。

14.根据权利要求13所述的制作太阳能电池的方法，其特征在于，该半导体层借由一磊晶沉积工艺而形成。

15.根据权利要求7所述的制作太阳能电池的方法，其特征在于，另包括于该半导体层上形成一抗反射层。

16.根据权利要求7所述的制作太阳能电池的方法，其特征在于，另包括在该基板的该第一表面形成一粗糙化结构。

17.根据权利要求7所述的制作太阳能电池的方法，其特征在于，该沟槽借由一激光刻槽工艺所形成。