[发明专利]锆基、铜基非晶合金及其制备方法、及由其制得的电子产品结构件及加工方法在审
| 申请号： | 201310059735.7 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104004976A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 李杨勇;魏冬;胡浩;李建邦 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | C22C45/10 | 分类号： | C22C45/10;C22C45/00;C22C1/03 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;梁丽超 |
| 地址： | 518057 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 锆基 铜基非晶 合金 及其 制备 方法 电子产品 结构件 加工 | ||
1.一种锆基非晶合金，其特征在于，所述锆基非晶合金的化学式为：
(ZraAlbCucNid)100-e-fTieMf，a、b、c、d、e和f为原子数，其中，0.4≤a≤0.7，0.08≤b≤0.2，0.07≤c≤0.33，0.05≤d≤0.2，0≤e≤10，0≤f≤25，并且a、b、c、d之和为1；
其中，M选自Nb、Ta和Sc中的一种或一种以上的组合。
2.根据权利要求1所述的锆基非晶合金，其特征在于，所述锆基非晶合金的化学式为Zr57Al10Cu15.4Ni12.6Nb5或Zr52.5Al10Cu17.9Ni14.6。
3.一种铜基非晶合金，其特征在于，所述铜基非晶合金的化学式为：
(CuaZrbAlcNid)100-e-fTieMf，a、b、c、d、e和f为原子数，其中，0.4≤a≤0.8，0.1≤b≤0.5，0≤c≤0.1，0≤d≤0.2，0≤e≤40，0≤f≤25，并且a、b、c、d之和为1；
其中，M选自Nb、Si和Se中的一种或一种以上的组合。
4.根据权利要求3所述的铜基非晶合金，其特征在于，所述铜基非晶合金的化学式为Cu47Zr11Ni8Ti34或Cu47Zr11Ni8Ti33Si1。
5.一种非晶体合金的制备方法，其特征在于，包括：
按照权利要求1至4中任一项所述非晶合金化学式中原子数配比准备各个原料；
将所述各个原料中熔点高于2000℃的原料熔炼得到母合金；以及
将所述母合金和剩余原料熔炼得到所述非晶体合金。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，熔炼得到所述母合金的步骤包括：在惰性气氛，真空度大于等于10-5torr以及电流强度10A~60A的条件下，熔炼得到所述母合金。
7.一种电子产品结构件，其特征在于，由权利要求1至4中任一项所述的非晶合金制备而成。
8.一种电子产品结构件的加工方法，其特征在于，包括：
在真空度大于等于10-3torr的条件下，将权利要求1至4中任一项所述的非晶合金熔融得到熔融液；
将模具加热至温度大于等于150℃且小于等于350℃；
将所述熔融液倒入所述模具中冷却得到电子产品结构件。
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