[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201310059752.0 | 申请日: | 2013-02-26 |
公开(公告)号: | CN104009181A | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;黄辉;张振华 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 生启;何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的氧化物层、玻璃基底、阳极、缓冲层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极,所述氧化物层的材料选自三氧化二铝、氧化硼及氧化镓中的至少一种,所述阳极的材料为聚3,4-二氧乙烯噻吩与聚苯磺酸盐的混合物,所述缓冲层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的客体材料,所述主体材料选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种,所述客体材料选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中的至少一种,所述客体材料与所述主体材料的质量比为1:1000~1:20。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述氧化物层的厚度为5nm~20nm,所述阳极的厚度为20nm~80nm,所述缓冲层的厚度为0.1nm~10nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述玻璃基底的折射率为1.8~2.2。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述发光层的材料选自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述聚3,4-二氧乙烯噻吩与所述聚苯磺酸盐的质量比为2:1~6:1。
6.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在玻璃基底的背面蒸镀制备氧化物层,所述氧化物层的材料选自三氧化二铝、氧化硼及氧化镓中的至少一种;
在所述玻璃基底的正面涂敷制备阳极,所述阳极的材料为聚3,4-二氧乙烯噻吩与聚苯磺酸盐的混合物;
在所述阳极的表面蒸镀制备缓冲层,所述缓冲层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的客体材料,所述主体材料选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种,所述客体材料选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中的至少一种,所述客体材料与所述主体材料的质量比为1∶1000~1:20,蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行,所述主体材料及所述客体材料分别放在两个蒸发舟中进行蒸发,所述主体材料的蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s,所述客体材料的蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s;及
在所述缓冲层的表面依次蒸镀制备空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述氧化物层的厚度为5nm~20nm,所述阳极的厚度为20nm~80nm,所述缓冲层的厚度为0.1nm~10nm。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述玻璃基底的折射率为1.8~2.2。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述氧化物层通过电子束蒸镀制备,电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2~l00W/cm2。
10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述阳极通过旋涂制备,旋涂的转速为2000rpm~6000rpm,时间为10-30s,旋涂后在50℃~200℃下烘干10分钟~30分钟。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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