[发明专利]氮化镓基板以及使用了该氮化镓基板的光设备

权利要求书

1.一种氮化镓基板，其特征在于，在针对于氮化镓基板的表面的、扫描型电子显微镜(SEM：Scanning Electron Microscope)的加速电压设为3kV时的能量色散型X射线分析(EDX：Energy Dispersive X-ray microanalysis)中，通过所述EDX而获得的EDX谱图的GaLα/CKα的峰强度比为2以上，其中，对于所述氮化镓基板，在通过蜡固定的状态下使用金刚石磨料进行了磨削和研磨，然后，进行了去除所述蜡的洗涤以及去除所述蜡和所述金刚石磨料的湿法蚀刻。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基板，其特征在于，所述EDX谱图的所述GaLα/CKα的峰强度比为3以上。

3.一种光设备，其特征在于，在权利要求1或2所述的氮化镓基板上形成有设备结构。

4.一种氮化镓基板的制造方法，具有使用含有碳的蜡将氮化镓基板固定后，对所述氮化镓基板的表面进行磨削和研磨的工序，

在实施所述工序之后，通过进行如下工序使所述氮化镓基板的表面的碳量减少：使用异丙醇，在40℃以上的条件下对所述氮化镓基板进行煮沸洗涤的工序；以及使用NH₄OH溶液，在77℃以上的条件下对所述氮化镓基板进行湿法蚀刻的工序，

使通过针对于所述氮化镓基板的表面的、扫描型电子显微镜的加速电压设为3kV时的能量色散型X射线分析而获得的谱图的GaLα/CKα的峰强度比为2以上。

5.根据权利要求4所述的氮化镓基板的制造方法，在对所述氮化镓基板的表面进行磨削和研磨的工序中，使用含有碳的磨石对所述氮化镓基板的表面进行磨削。

6.根据权利要求4所述的氮化镓基板的制造方法，在对所述氮化镓基板的表面进行磨削和研磨的工序中，使用含有碳的磨料对所述氮化镓基板的表面进行研磨。

7.根据权利要求4所述的氮化镓基板的制造方法，对所述氮化镓基板进行湿法蚀刻的工序在对所述氮化镓基板进行煮沸洗涤的工序之后进行。