[发明专利]一种肖特基二极管的封装结构

权利要求书

1.一种肖特基二极管的封装结构，包括芯片、跳线和金属框架，所述金属框架包括间隔相对的一个基部金属框架和两个引出金属框架，所述芯片的下表面与基部金属框架的上表面相焊接，芯片上表面焊接跳线的一端，跳线的另一端焊接在引出金属框架的上表面，其特征在于：所述基部金属框架、引出金属框架之间和上方以及芯片、跳线的上方和外围均包覆有塑封体，基部金属框架和引出金属框架的下表面暴露在塑封体外，并且基部金属框架和引出金属框架均延伸有位于塑封体外的引脚。

2.根据权利要求1所述肖特基二极管的封装结构，其特征在于：所述基部金属框架的上表面设置有网格状的防移沟。

3.根据权利要求1所述肖特基二极管的封装结构，其特征在于：所述引出金属框架上表面设置有卡槽，所述跳线的端部设置有与卡槽相配合的凸块。

4.根据权利要求1所述肖特基二极管的封装结构，其特征在于：所述基部金属框架和引出金属框架相对的侧壁均为梯级形状且之间填充塑封体。

5.根据权利要求1所述肖特基二极管的封装结构，其特征在于：所述塑封体的长、宽、厚分别为5.4mm、4.0mm和1.1mm。

6.根据权利要求1所述肖特基二极管的封装结构，其特征在于：若干金属

框架矩阵式排列连接为一体，包括20排，每排包括8个基部金属框架，每个基部金属框架相对设置有两个引出金属框架。