[发明专利]双面照明图像传感器芯片及其形成方法有效
申请号: | 201310060236.X | 申请日: | 2013-02-26 |
公开(公告)号: | CN103839951A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 刘智民;涂宏益;赵亦平;薛福隆 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/378 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 照明 图像传感器 芯片 及其 形成 方法 | ||
1.一种器件,包括:
双面照明(DSI)图像传感器芯片,包括:
第一图像传感器芯片,被配置成感测来自第一方向的光;以及
第二图像传感器芯片,与所述第一图像传感器芯片对齐并与其接合,所述第二图像传感器芯片被配置成感测来自与所述第一方向相反的第二方向的光。
2.根据权利要求1所述的器件,还包括:
第一列读出电路,位于所述第一图像传感器芯片中;以及
第二列读出电路,位于所述第二图像传感器芯片中,所述第一列读出电路和所述第二列读出电路被配置成同时处理所述第一图像传感器芯片中的像素阵列的同一行。
3.根据权利要求2所述的器件,其中,所述第一列读出电路和所述第二列读出电路中的第一个被配置成处理从行的奇数列读出的数据,而所述第一列读出电路和所述第二列读出电路中的第二个被配置成处理从该行的偶数列读出的数据。
4.根据权利要求2所述的器件,其中,所述第一列读出电路和所述第二列读出电路被配置成同时处理所述第二图像传感器芯片中的像素阵列的同一行。
5.根据权利要求1所述的器件,还包括:
印刷电路板,所述DSI图像传感器芯片接合至所述印刷电路板;以及
透明窗,位于所述印刷电路板中,所述透明窗与所述DSI图像传感器芯片对齐,以使光通过所述透明窗并被所述DSI图像传感器芯片接收。
6.根据权利要求1所述的器件,其中,所述第一图像传感器芯片和所述第二图像传感器芯片中的一个包括状态机&控制器,所述状态机&控制器被配置成控制所述第一图像传感器芯片和所述第二图像传感器芯片中被选定的一个从对应的像素阵列中读取数据。
7.根据权利要求1所述的器件,其中:
所述第一图像传感器芯片包括第一载体,第一接合焊盘形成在所述第一载体的表面上;以及
所述第二图像传感器芯片包括第二载体,第二接合焊盘形成在所述第二载体的表面上,并且所述第一接合焊盘接合至所述第二接合焊盘。
8.一种集成电路部件,包括:
第一晶圆,包括:
第一芯片,具有第一结构并且包括位于所述第一晶圆的第一面的第一接合焊盘;以及
第二芯片,具有与第一结构不同的第二结构,所述第二芯片包括位于所述第一晶圆的第一面的第二接合焊盘,并且配置所述第一晶圆以使当所述第二芯片翻转到所述第一芯片上时,所述第二接合焊盘与所述第一接合焊盘中的对应焊盘对齐。
9.根据权利要求8所述的集成电路部件,其中,所述第一芯片和所述第二芯片是图像传感器芯片,并且所述第一芯片和所述第二芯片均包括位于所述第一晶圆的第二面的微透镜。
10.一种方法,包括:
将第一晶圆接合至与所述第一晶圆相同的第二晶圆,所述第一晶圆和所述第二晶圆均包括:
彼此相同的多个第一芯片;以及
彼此相同但是与所述多个第一芯片不同的多个第二芯片,所述第一晶圆中的多个第一芯片中的每一个都与所述第二晶圆中的多个第二芯片中的一个接合,并且所述第一晶圆中的多个第二芯片中的每一个都与所述第二晶圆中的多个第一芯片中的一个接合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的