[发明专利]纳米金属盐的制备方法与太阳能电池的吸收层的形成方法无效
申请号: | 201310060461.3 | 申请日: | 2013-02-26 |
公开(公告)号: | CN103864133A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 江建志 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | C01G3/00 | 分类号: | C01G3/00;C01G15/00;C01G9/00;C01F7/00;C01G19/00;C01B19/00;H01L31/0224 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 金属 制备 方法 太阳能电池 吸收 形成 | ||
技术领域
本发明涉及纳米金属盐的制备方法,尤其涉及其在太阳能电池吸收层的应用。
背景技术
太阳能是目前最具潜力的能源,它除具有取之不尽、用之不竭的特性之外,对环境并不造成任何威胁,也没有特殊地理位置上的限制,应用范围广,可说是相当洁净且实用的再生能源。相较于晶圆型太阳能电池100μm以上的厚度需求,薄膜型太阳能电池只需使用极薄(2μm以内)的光电材料。若搭配吸收系数高的材料,则材料的使用量将可大幅的降低。目前薄膜型太阳能电池中,铜铟镓硒(CIGS)的吸收层除了拥有最高的吸收系数外,还可轻易地调控组成比例以改变其能隙与电性,目前可达到接近20%的光电转换效率,位居所有薄膜型太阳能电池之冠,为目前最具潜力的材料。目前IB-IIIA-VIA族如铜铟镓硒(CIGS)与IB-IIB-IVA-VIA族如铜锌锡硒(CZTSe)薄膜太阳电池材料具有多元组成,其元素配比敏感,多元晶体结构复杂,与多层接口匹配困难等特性,在材料制备的精度要求、重复性、和稳定性的要求都很高。目前上述太阳电池的吸收层制备主要可分为真空工艺及非真空工艺。常见的真空工艺为溅镀(Sputtering)与共蒸镀法(Co-evaporation)等,而非真空工艺为电化学沉积法(Electro-deposition)、涂布法(Coating)、与喷雾裂解法(Spray Pyrolysis)等。由于真空工艺耗费的成本较高,目前许多研究团队开发与研究低成本的非真空工艺。非真空工艺的主要发展以浆料涂布(Slurry coating)为主,其关键在于精准控制硒化铜铟镓纳米粉体的组成、型态、与粒子大小的纳米合成技术,如何调配出分散均匀的悬浮浆料,与简化涂布浆料后繁复且耗能的脱碳及还原工艺。
发明内容
本发明一实施例提供一种纳米金属盐的制备方法,包括:提供金属阳离子溶液;以及提供氢氧根阴离子与碳酸根阴离子至金属阳离子溶液中,以沉淀形成纳米金属盐,其中纳米金属盐具有氢氧根阴离子与碳酸根阴离子。
本发明一实施例提供一种太阳能电池吸收层的形成方法,包括:提供纳米金属盐的浆料,且纳米金属盐具有金属阳离子、氢氧根阴离子、与碳酸根阴离子;将纳米金属盐的浆料涂布于基材上;干燥纳米金属盐的浆料,于该基材上形成纳米金属盐层;以及硒化该纳米金属盐层,以形成一太阳能电池吸收层。
附图说明
图1为本发明一实施例中,Cu2(OH)2CO3的XRD图谱;
图2为本发明一实施例中,NH4Ga(OH)(CO3)的XRD图谱;
图3为本发明一实施例中,NH4Al(OH)CO3的XRD图谱;
图4为本发明一实施例中,In(OH)3*XCO3(0<X≤3)的XRD图谱;
图5为本发明一实施例中,(NH4)2Cu2InGa(OH)6(CO3)3的XRD图谱;
图6为本发明一实施例中,Zn5(OH)6(CO3)2的XRD图谱;
图7为本发明一实施例中,Sn6O4(OH)4*XCO3(0<X≤3)的XRD图谱;
图8为本发明一实施例中,(NH4)2Cu2InGa(OH)6(CO3)3的XRD图谱;
图9为本发明一实施例中,Cu5Zn(5-2.5x)Sn2.5x(OH)9(CO3)3(0≤x≤2)的XRD图谱;
图10为本发明一实施例中,太阳能电池的I-V曲线。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明作进一步的详细说明。
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