[发明专利]一种编程电压补偿电路

权利要求书

1.一种编程电压补偿电路，用于对非易失性存储器编程电压进行补偿，包括：

电荷泵，所述电荷泵的输入端连接一供电电源，所述电荷泵的输出端输出高于供电电源的编程电压；

取样电阻网络，连接于所述电荷泵的输出端，所述取样电阻网络包括相互串联的第一电阻模块与第二电阻模块，所述第一电阻模块与所述第二电阻模块相接于第一公共节点并输出取样电压；

补偿转换电路，所述补偿转换电路的一端连接于一基准电源，所述补偿转换电路的另一端用于根据编程电流的变化控制输出一调节电压；

比较器，所述比较器的第一输入端接收所述取样电压，所述比较器的第二输入端接收所述调节电压，所述比较器的输出端输出一反馈信号至所述电荷泵，以控制所述电荷泵的输出。

2.如权利要求1所述的编程电压补偿电路，其特征在于：所述补偿转换电路包含一电压跟随器、一电阻与一镜像恒流源，所述电压跟随器的输入端接收所述基准电源，所述电阻的一端连接于所述电压跟随器的输出端，所述电阻的另一端和所述镜像恒流源相接于第二公共节点并输出所述调节电压。

3.如权利要求2所述的编程电压补偿电路，其特征在于：当所述编程电流变大时，所述镜像恒流源受控输出的一补偿电流减少，所述补偿转换电路控制使得所述调节电压增大。

4.如权利要求1所述的编程电压补偿电路，其特征在于：所述比较器的第一输入端为反向端，所述比较器的第二输入端为正向端，当所述取样电压小于所述调节电压时，反馈信号上升控制电荷泵的编程电压上升。

5.如权利要求1所述的编程电压补偿电路，其特征在于：所述第一电阻模块包含多个接成电阻的PMOS晶体管，所述第一电阻模块中的每个PMOS晶体管源极与衬底连接，栅极与漏极连接；所述第二电阻模块包含一接成电阻的PMOS晶体管，所述第二电阻模块的PMOS晶体管源极输出所述取样电压，栅极与漏极连接。