[发明专利]一种霍山石斛的组织培养方法

权利要求书

1.一种霍山石斛的组织培养方法，其特征在于以带侧芽的霍山石斛茎段位母体，并经过下列步骤： 

A.将茎段经过水洗、75％的酒精浸泡1～2min、无菌水洗后，转移到无菌超净台上去除叶片及膜质叶鞘，再次经过0.1％HgCl₂加1滴吐温80消毒5～10min后，无菌水洗后无菌保存； 

B.将保存的幼芽接种到幼芽增殖培养基中，进行幼芽的诱导和增殖； 

C.将生长状况良好的幼芽接种到生根培养基上，培养温度25～28℃，光照强度2000lx，光照时间12～14h/d条件下培养； 

D.获得生长状况良好的培苗，将培苗取出，洗净根部的培养基，在木屑的基质中栽培，保持适当的通风和足够的湿度，获得种苗。 

2.根据权利要求1所述的霍山石斛组织方法，其特征在于所述A步骤的带侧芽的霍山石斛茎段经过水洗、消毒、无菌水洗、去除叶片和膜质叶鞘、消毒、无菌水洗、无菌保存的操作方法。 

3.根据权利要求1所述的霍山石斛组织培养方法，其特征在于所述B步骤的幼芽增殖培养基为： 

1/2MS为基础培养基，蔗糖浓度20～30g/L，香蕉泥浓度100～200g/L，萘乙酸浓度0.2～0.3mg/L，6-苄基腺嘌呤浓度0.4～0.5mg/L，pH值为5.0～6.0。 

4.根据权利要求1所述的霍山石斛组织培养方法，其特征在于所述C步骤的生根培养基为： 

MS为基本培养基，蔗糖浓度20～30g/L；6-苄基腺嘌呤浓度1.0～20mg/L，萘乙酸浓度0.5～1.0mg/L；香蕉泥100g/L，pH值5.8～6.0。 

5.根据权利要求1所述的霍山石斛组织培养方法，其特征在于所述C步骤是将生长状况良好的幼芽接种到生根培养基上，培养温度25℃，光照强度2000lx，光照时间12h/d条件下培养。 

6.据权利要求1所述的霍山石斛组织培养方法，其特征在于所述D步骤是将培苗取出，洗净根部的培养基，在木屑的基质中栽培，保持适当的通风和足够的湿度，获得种苗。