[发明专利]一种选择性发射极多晶硅太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种选择性发射极多晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1) 清洗，制绒；

(2) 在硅片上生长有源掺杂剂；

(3) 将硅片置于扩散炉中，以3~5℃/min的降温速度降温至500~550℃，通入N₂，所述N₂流量为10~30 slm；

(4) 待温度稳定后，通入N₂和O₂进行氧化，氧化时间为30~60min；所述N₂流量为5~15 slm，O₂流量为4000~8000 sccm；

(5) 以5~10℃/min的升温速度升温至850~870℃，待温度稳定后通入携磷源气体进行扩散；磷源气体的流量为500~1100 sccm，O₂流量为400~900 sccm，N₂流量为10~30slm，扩散时间为5~15min；

(6) 保持上述步骤(5)的温度，通入N₂和O₂进行恒温推进，推进时间为10~20min；所述N₂流量为10~30 slm，O₂流量为400~900 sccm；

(7) 降温出舟；

(8) 清洗刻蚀去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结，即可得到选择性发射极多晶硅太阳电池。

2.根据权利要求1所述的选择性发射极多晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于：得到的选择性发射极多晶硅太阳电池的重掺方阻为35~45Ω∕□，浅掺方阻为60~85Ω∕□。

3.根据权利要求1所述的选择性发射极多晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中的磷源气体为三氯氧磷。