[发明专利]手持式电磁辐射测试仪无效
申请号: | 201310062043.8 | 申请日: | 2013-02-27 |
公开(公告)号: | CN103149456A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 姜秀坤 | 申请(专利权)人: | 姜秀坤 |
主分类号: | G01R29/08 | 分类号: | G01R29/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 233000 安徽省蚌埠市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 手持 电磁辐射 测试仪 | ||
技术领域
本发明属于电磁波测量技术领域,涉及一种手持式电磁辐射测试仪。
背景技术
随着各种有线、无线的电器设备不断普及,人为产生的电磁辐射无处不在,常见的来源有:交流电电源变压器、室内布线、日光灯、电视机、微波炉、电磁灶、家用电脑、手机、空调、吹风机等等,这些电器设备给我们带来很多方便的同时,它们所产生的电磁辐射也给人们的生活和健康带来一定的危害。
电磁辐射危害人体的方式
热效应:人体组织70%以上是水,水分子受到电磁波辐射后相互摩擦,引起机体升温,从而影响着人体内部器官正常工作。
累积效应:热效应作用于人体后,对人体伤害尚未来得及自我修复之前,再次受到电磁波辐射,其伤害程度就会累积,久而久之有就可能危及健康。对于长期接触电磁波辐射的人体,即使辐射功率很小,频率很低,也可能会诱发引起意想不到的种种疾病。
在多种频率电磁波中,高频段和较强电磁场作用人体的后果,是在不知不觉中导致人的精力和体力减退,容易产生白内障、白血病、心血管疾病、大脑机能障碍以及妇科疾病等,甚至会导致人类免疫机能的低下等病变。
因此,应该说各种电器给我们带来方便同时,电磁辐射对人类造成的伤害也越来越大。及时检测一下电磁辐射强度,看看是否会危及您和家人健康很有必要。
手持式电磁辐射测试仪的电路全部使用普通元器件制作,制作成本仅需十几元,很适合作为工具用于工厂批量开发。
以下详细说明本发明所述的手持式电磁辐射测试仪在实施过程中所涉及的有关技术内容。
发明内容
发明目的:现在应该说电磁辐射无处不在,为避免或减少电磁辐射对人体造成的伤害,为有效的侦测、规避电磁辐射源,本发明使用常见而廉价的元器件,制作了一种易于推广普及的手持式电磁辐射测试仪。 为了降低电磁辐射测试仪的设计难度和制作成本,电路只作定性测试,不作电磁辐射的定量分析。
有益效果:本发明提供一种手持式电磁辐射测试仪,是用来判断电器设备电磁辐射的有无、定性测试并提示电磁辐射强度、测试电磁辐射污染范围的一种装置。本发明具有电路结构简单、无需外接电源、测试操作方便等特点,可以为用户规避辐射源提供依据,可作为一种常用的电磁辐射检测工具。
电路工作原理:手持式电磁辐射测试仪所用的电磁感应元件是一个与场效应晶体管BG1组合成的电磁感应线圈L。场效应管BG1是通过串接的固定电阻R1、电位器RP1 和电磁感应线圈L组成电磁辐射感应电路。在电磁感应线圈L感应到电磁辐射时,经场效应管BG1的一级放大后,在场效应管BG1的漏极D负载电阻R2上被放大的信号经过耦合电容C1送到NPN型晶体管BG2建立共发射极电路进行第二级放大。NPN型晶体管BG2集电极上的信号的幅度取决于被测物的电磁辐射强度;若用示波器进行测试时,可在NPN型晶体管BG2集电极得到波形为100mV以上电压。电容C2是隔直流耦合电容,它将经过NPN型晶体管BG2放大后的信号送到PNP型晶体管BG3进行第三级放大,最后驱动发光二极管LED工作。
技术特征:手持式电磁辐射测试仪,它包括9V直流电源、电磁感应线圈L、一级放大电路、二级阻容放大电路、三级阻容放大电路和状态指示电路,其特征在于:
一级放大电路:它由电磁感应线圈L、场效应管BG1、电阻R1、电位器RP1和负载电阻R2组成,电磁感应线圈L的两端分别接场效应管BG1的栅极G和电位器RP1的活动臂,电位器RP1的一端通过电阻R1接电路正极VCC,电位器RP1的另一端接电路地GND,场效应管BG1的漏极D接负载电阻R2的一端,负载电阻R2的另一端接电路正极VCC,场效应管BG1的源极S接电路地GND;
二级阻容放大电路:它由耦合电容C1、NPN型晶体管BG2、电阻R3、电阻R4组成,NPN型晶体管BG2的基极与耦合电容C1的一端、电阻R3的一端相连,NPN型晶体管BG2的集电极接电阻R3的另一端和电阻R4的一端,电阻R4的另一端接电路正极VCC,NPN型晶体管BG2的发射极接电路地GND;
三级阻容放大电路:它由耦合电容C2、PNP型晶体管BG3、电阻R5、电位器RP2、电阻R6和状态指示电路组成,PNP型晶体管BG3的基极与耦合电容C2、电位器RP2的活动臂相连,电位器RP2的一端通过电阻R5接电路正极VCC,电位器RP2的另一端通过电阻R6接电路地GND,PNP型晶体管BG3的发射极接电路正极VCC,PNP型晶体管BG3的集电极接状态指示电路;
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