[发明专利]用于抗辐射CMOS图像传感器的有源像素结构

权利要求书

1.一种用于抗辐射CMOS图像传感器的有源像素结构，包括有光电二极管PD、复位管M11、晶体管M12和选通管M13，其特征在于，还设置有补偿管M14和电流源I，其中，所述的补偿管M14的栅极连接补偿信号，复位管M11的栅极连接复位信号，选通管M13的栅极连接选通信号，补偿管M14的源极、复位管M11的漏极和晶体管M12的漏极均连接电源VDD，补偿管M14的漏极、复位管M11的源极、晶体管M12的栅极和光电二极管PD的N极连在一起，晶体管M12的源极连接选通管M13的漏极，选通管M13的源极连接电流源I的输入端，电流源I的输出端接地，所述的光电二极管PD的P端接地。

2.根据权利要求1所述的用于抗辐射CMOS图像传感器的有源像素结构，其特征在于，所述的晶体管M13的源极为输出信号端。

3.根据权利要求1所述的用于抗辐射CMOS图像传感器的有源像素结构，其特征在于，所述的补偿信号是由补偿信号产生电路产生，所述的补偿信号产生电路包括有N个晶体管M1～MN、N个光电二极管PD1～PDN和一个缓冲器F，其中，每一个晶体管的漏极对应连接一个光电二极管的N极，所述的N个晶体管M1～MN的源极均连接电源VDD，N个晶体管M1～MN的栅极和漏极连接在一起，并与所述的N个光电二极管PD1～PDN的N极一起连接缓冲器F的输入端，所述的N个光电二极管PD1～PDN的P极均接地，缓冲器F的输出端连接有源像素结构的补偿管M14的栅极，来为其提供电流偏置。

4.根据权利要求1所述的用于抗辐射CMOS图像传感器的有源像素结构，其特征在于，所述的N个晶体管M1～MN是P型MOS晶体管。