[发明专利]多层陶瓷电容器、电路板的安装结构以及封装单元

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，该多层陶瓷电容器包括：

陶瓷本体，该陶瓷本体具有层压于该陶瓷本体内的多个电介质层；

工作层，该工作层包括多个第一内电极和第二内电极，单个所述电介质层插入所述第一内电极和第二内电极之间以形成电容，所述第一内电极和所述第二内电极穿过所述陶瓷本体的各个端表面交替地暴露；

上覆盖层，该上覆盖层形成在所述工作层的上方；

下覆盖层，该下覆盖层形成在所述工作层的下方，并且该下覆盖层的厚度大于所述上覆盖层的厚度；

第一外电极和第二外电极，该第一外电极和第二外电极覆盖所述陶瓷本体的两个端表面；以及

反复地形成在所述下覆盖层中的至少一对第一内电极和第二内电极，并且所述电介质层插入形成在所述下覆盖层中的所述至少一对第一内电极和第二内电极之间，形成在所述下覆盖层中的所述至少一对第一内电极和第二内电极穿过所述下覆盖层的两个端表面交替地暴露，

其中，当所述陶瓷本体的总厚度的1/2定义为A，所述下覆盖层的厚度定义为B，所述工作层的总厚度的1/2定义为C，所述上覆盖层的厚度定义为D时，所述工作层的中心部与所述陶瓷本体的中心部之间的偏离比值（B+C）/A满足1.063≤（B+C）/A≤1.745。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述上覆盖层的厚度（D）与所述下覆盖层的厚度（B）的比值D/B满足0.021≤D/B≤0.422。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述下覆盖层的厚度（B）与所述陶瓷本体的总厚度的1/2（A）的比值B/A满足0.329≤B/A≤1.522。

4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述工作层的总厚度的1/2（C）与所述下覆盖层的厚度（B）的比值C/B满足0.146≤C/B≤2.458。

5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，形成在所述下覆盖层中的所述第一内电极和第二内电极形成为邻近所述陶瓷本体的底表面。

6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，当形成在所述下覆盖层中的所述第一内电极和第二内电极的总厚度定义为E时，形成在所述下覆盖层中的所述第一内电极和第二内电极的总厚度（E）与所述下覆盖层的厚度（B）的比值E/B为0.5或更小。

7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，当从形成在所述下覆盖层中的所述第一内电极或第二内电极的最下边缘到所述陶瓷本体的底表面的厚度定义为F时，F为100μm或更小。

8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，当形成在所述下覆盖层中的所述第一内电极和第二内电极的总厚度定义为E，并且从形成在所述下覆盖层中的所述第一内电极或第二内电极的最下边缘到所述陶瓷本体的底表面的厚度定义为F时，形成在所述下覆盖层中的所述第一内电极和第二内电极的总厚度（E）与所述下覆盖层的厚度（B）的比值E/B为0.5或更小，并且F为100μm或更小。

9.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，由于在施加电压的过程中，所述工作层的中心部中产生的变形率与所述下覆盖层中产生的变形率之间的差异，形成在所述陶瓷本体的各个端表面上的拐点的高度形成为与所述陶瓷本体沿厚度方向的中心部的高度一致，或者低于所述陶瓷本体的沿厚度方向的中心部的高度。