[发明专利]一种提高光掩模板关键尺寸均一性的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种提高光掩模板关键尺寸均一性的方法。

背景技术

在集成电路制造工艺中，通常通过激光束或电子束将设计好的电路转移到掩模板上，再通过曝光的方式将掩模版上的图形转移到硅片上。

但是，由于电子束易在光掩模基板表面与曝光腔体内反复反射（雾化效应），导致曝光区域图形面积比重较大的区域的光阻比其他区域的光阻接受更多的电子。由此，在同样的曝光能量下，显影完后，正性光阻的掩模板曝光区域图形面积比重较大的区域光阻的关键尺寸较其他区域的区域光阻的关键尺寸小；负性光阻的掩模板则相反，即负性光阻的掩模板曝光区域图形面积比重较大的区域光阻的关键尺寸较其他区域的区域光阻的关键尺寸大。

因此，希望提供一种能够解决由掩模板曝光时的雾化效应造成的关键尺寸均一性不良的问题，最终提升掩模板整体的关键尺寸均一性的技术方案。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够解决由掩模板曝光时的雾化效应造成的关键尺寸均一性不良的问题，最终提升掩模板整体的关键尺寸均一性的方法。

为了实现上述技术目的，本发明提供了一种提高光掩模板关键尺寸均一性的方法，其包括：

第一步骤，用于执行初始掩模板版图设计；

第二步骤，用于对设计出来的初始掩模板版图进行区块划分；

第三步骤，用于计算初始掩模板版图各区块的曝光图形密度；

第四步骤，用于根据各区块周边区域内的曝光图形密度分布确定各区块关键尺寸的调整幅度；

第五步骤，用于根据所确定的各区块关键尺寸的调整幅度调整各区块的关键尺寸，以得到更新的掩模板版图；

第六步骤，用于根据更新的掩模板版图执行掩模板制造。

优选地，所述各区块周边区域是以该区块中心为圆心，以给定距离为半径的圆所覆盖的范围内的区域。

优选地，所述的给定距离的范围是0.1mm至152.4mm。

优选地，在所述第四步骤中，所述的各区块关键尺寸的调整幅度的范围是1nm至5优选地，各区块周边区域内的曝光图形密度分布包括：该区块周边区域内的曝光图形至该区块的距离、以及该区块周边区域内的曝光图形的密度；在所述第四步骤中，所述各区块关键尺寸的调整幅度可由该区块周边区域内的曝光图形至该区块的距离、以及该区块周边区域内的曝光图形的密度决定。

优选地，在所述第四步骤中，区块周边区域内的曝光图形至该区块的距离越小，则该区块关键尺寸的调整幅度越大；区块周边区域内的曝光图形的密度越大，则该区块关键尺寸的调整幅度越大。

优选地，在第五步骤中，对于使用正性掩模板光阻的掩模板，根据所确定的各区块关键尺寸的调整幅度，将曝光区域图形密度较大的透光图形关键尺寸调小，曝光区域图形密度较小的透光图形关键尺寸调大；对于使用负性掩模板光阻的掩模板，根据所确定的各区块关键尺寸的调整幅度，将曝光区域图形密度较大的透光图形关键尺寸调大，曝光区域图形密度较小的透光图形关键尺寸调小。

优选地，在第二步骤中，按照固定尺寸来进行区块划分。

在本发明中，提供了一种提高光掩模板关键尺寸均一性的方法；其中，在掩模板设计之后，针对各数据区域周围的图形密度情况，来调整该区域的关键尺寸的大小，以弥补由雾化效应带来的各区域关键尺寸的差异，最终提高掩模板整体的关键尺寸均一性。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的提高光掩模板关键尺寸均一性的方法的流程图。

图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的提高光掩模板关键尺寸均一性的方法生产的掩模板的关键尺寸分布图。

图3示意性地示出了根据现有技术的生产的掩模板的关键尺寸分布图。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的提高光掩模板关键尺寸均一性的方法的流程图。

更具体地说，如图1所示，根据本发明优选实施例的提高光掩模板关键尺寸均一性的方法包括：